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1. (WO2002079863) FILTRES OPTOELECTRONIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/079863    N° de la demande internationale :    PCT/GB2002/001341
Date de publication : 10.10.2002 Date de dépôt international : 20.03.2002
CIB :
G02F 1/01 (2006.01), G02F 1/21 (2006.01), G02F 1/225 (2006.01)
Déposants : BOOKHAM TECHNOLOGY PLC [GB/GB]; 90 Milton Park Abingdon Oxfordshire OX14 4RY (GB) (Tous Sauf US).
ONISCHENKO, Alexander, Ivanovich [RU/GB]; (GB) (US Seulement).
PECHSTEDT, Ralf, Dieter [DE/GB]; (GB) (US Seulement).
GAHAN, David, Francis [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
ASGHARI, Mehdi [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : ONISCHENKO, Alexander, Ivanovich; (GB).
PECHSTEDT, Ralf, Dieter; (GB).
GAHAN, David, Francis; (GB).
ASGHARI, Mehdi; (GB)
Mandataire : HARDING, Richard, Patrick; Marks & Clerk 4220 Nash Court Oxford Business Park South Oxford Oxfordshire OX4 2RU (GB)
Données relatives à la priorité :
0108129.8 31.03.2001 GB
Titre (EN) OPTOELECTRONIC FILTERS
(FR) FILTRES OPTOELECTRONIQUES
Abrégé : front page image
(EN)An optoelectronic filter formed on a SOI chip comprises a silicon rib or ridge waveguide (2) formed in a silicon layer for conducting a light beam along an optical transmission path, a silica confinement layer providing optical confinement in a vertical direction, and a silicon substrate. Deep trenches (5) are etched perpendicularly to the waveguide direction up to the confinement layer (3) to form two distributed Bragg reflector (DBR) elements (15 and 16) separated by a Fabry-Perot (FP) cavity. The trenches (5) form air gaps in the optical transmission path which results in wavelength-dependent reflection of the light beam. Furthermore a heater (93) is provided for controlling the temperature of the part of the waveguide (2) between the DBR's in order to tune the passband of the filter. Such a filter can be readily tuned to the required passband, and can be manufactured using only a small number of manufacturing steps.
(FR)Dans la présente invention, un filtre optoélectronique formé sur une puce silicium sur isolant (SOI) comprend un guide d'onde (2) à rebord ou à nervure en silicium qui est formé sur une couche de silicium pour conduire un faisceau de lumière sur un chemin de transmission optique, une couche de confinement optique qui assure le confinement optique dans une direction verticale et un substrat en silicium. Des tranchées profondes (5) sont gravées perpendiculairement au guide d'onde jusqu'à la couche de confinement (3) pour former deux éléments (15 et 16) de réflecteur Bragg distribués (DBR), séparés par une cavité de Fabry-Pérot (FP). Les tranchées (5) forment des lames d'air dans le chemin de transmission optique ce qui a pour effet de réfléchir le faisceau de lumière en fonction de la longueur d'onde. En outre, un dispositif de chauffe (93) est prévu pour réguler la température de la partie du guide d'onde (2) située entre les DBR pour accorder la bande passante du filtre. Un tel filtre peut être rapidement accordé sur la bande passante requise et peut être fabriqué au moyen d'un nombre réduit d'étapes de fabrication.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)