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1. (WO2002079551) SUPPRESSION D'AUTODOPAGE DE TYPE N DANS LES EPITAXIES DE SI ET SIGE A BASSE TEMPERATURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/079551    N° de la demande internationale :    PCT/IB2002/000640
Date de publication : 10.10.2002 Date de dépôt international : 04.03.2002
CIB :
H01L 21/22 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL)
Inventeurs : DE BOER, Wiebe, B.; (NL)
Mandataire : DUIJVESTIJN, Adrianus, J.; Internationaal Octrooibureau B.V., Prof. Holstlaan 6, NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
01201235.7 30.03.2001 EP
01201236.5 30.03.2001 EP
01203900.4 12.10.2001 EP
Titre (EN) SUPPRESSION OF N-TYPE AUTODOPING IN LOW-TEMPERATURE SI AND SIGE EPITAXY
(FR) SUPPRESSION D'AUTODOPAGE DE TYPE N DANS LES EPITAXIES DE SI ET SIGE A BASSE TEMPERATURE
Abrégé : front page image
(EN)A method of manufacturing a semiconductor device, which method comprises the step of epitaxially growing a stack comprising an n-type doped layer of a semiconductor material followed by at least one further layer of a semiconductor material, the stack being grown in one continuous growth cycle.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de fabriquer un dispositif semi-conducteur. Ce procédé consiste à permettre la croissance épitaxiale d'un empilement comprenant une couche dopée de type N d'un matériau semi-conducteur, et au moins une autre couche d'un matériau semi-conducteur; la croissance de l'empilement s'effectuant en un seul cycle de croissance continu.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)