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1. (WO2002078961) CIRCUIT INTEGRE POUR TETE D'IMPRESSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/078961    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/008356
Date de publication : 10.10.2002 Date de dépôt international : 13.03.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    14.10.2002    
CIB :
B41J 2/14 (2006.01), B41J 2/16 (2006.01), B41J 2/175 (2006.01)
Déposants : HEWLETT-PACKARD COMPANY [US/US]; 3000 Hanover Street, Palo Alto, CA 94304-1112 (US)
Inventeurs : BRYANT, Frank, R; (US).
TORGERSON, Joseph, M; (US).
BAKKOM, Angela, White; (US)
Mandataire : MYERS, Timothy, F; Hewlett-Packard Company, Intellectual Property Administration, 3404 E. Harmony Road, m/s 35, Fort Collins, CO 80525-9599 (US)
Données relatives à la priorité :
09/813,087 19.03.2001 US
Titre (EN) PRINTHEAD INTEGRATED CIRCUIT
(FR) CIRCUIT INTEGRE POUR TETE D'IMPRESSION
Abrégé : front page image
(EN)An integrated circuit (117) is formed on a substrate (110). The integrated circuit (117) includes a transistor (130) formed in the substrate (110). The transistor (130) has a gate (114) that forms at least one closed-loop. The integrated circuit (117) also includes an ejection element (120) that is coupled to the transistor (130) wherein the ejection element (120) is disposed over the substrate (110) without an intervening field oxide layer (12).
(FR)L'invention concerne un circuit intégré (117) formé sur un substrat (110). Ce circuit intégré (117) comprend un transistor (130) formé dans le substrat (110). Ce transistor (130) comprend une porte (114) qui forme au moins une boucle fermée. Le circuit intégré (117) comprend également un élément d'éjection (120) couplé au transistor (130). Cet élément d'éjection (120) est disposé sur le substrat (110) sans couche d'oxyde de champ (12) intermédiaire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)