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1. (WO2002078102) FABRICATION D'UN DISPOSITIF ELECTRONIQUE MOLECULAIRE POURVU D'UNE COUCHE D'ARRET PROTECTRICE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/078102    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/008452
Date de publication : 03.10.2002 Date de dépôt international : 17.03.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    18.10.2002    
CIB :
G11C 13/02 (2006.01), G11C 16/02 (2006.01), H01L 27/00 (2006.01)
Déposants : HEWLETT-PACKARD COMPANY [US/US]; Legal Department 3000 Hanover Street M/S 20BN Palo Alto, CA 94304-1112 (US)
Inventeurs : CHEN, Yong; (US)
Mandataire : LEE, Denise, A.; Hewlett-Packard Company IP Administration P.O. Box 272400 Fort Collins, CO 80527-2400 (US)
Données relatives à la priorité :
09/815,844 21.03.2001 US
Titre (EN) FABRICATING A MOLECULAR ELECTRONIC DEVICE HAVING A PROTECTIVE BARRIER LAYER
(FR) FABRICATION D'UN DISPOSITIF ELECTRONIQUE MOLECULAIRE POURVU D'UNE COUCHE D'ARRET PROTECTRICE
Abrégé : front page image
(EN)A process of fabricating a molecular electronic device that preserves the integrity of the active molecular layer of the electronic device during processing is described. In one aspect, a barrier layer is provided to protect a molecular layer sandwiched between a bottom wire layer and a top wire layer from degradation during pattering of the top wire layer. A molecular electronic device structure and a memory system that are formed from this fabrication process are described.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif électronique moléculaire préservant l'intégrité de la couche moléculaire active au cours du processus de fabrication. Dans un mode de réalisation de la présente invention, une couche d'arrêt est prévue pour empêcher la dégradation d'une couche moléculaire disposée entre une couche métallique inférieure et une couche métallique supérieure lors de la formation des motifs de la couche métallique supérieure. L'invention concerne en outre une structure de dispositif électronique et un système mémoire moléculaires obtenus par ledit procédé de fabrication.
États désignés : JP, KR, SG.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)