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1. (WO2002078096) TRAITEMENT DE FILMS AU NITRURE DE GALLIUM (GAN) DE TYPE N, PAR ATTAQUE AU CHLORE (CL¿2?) ET PLASMA INDUCTIF, AVANT LA FORMATION DE CONTACTS OHMIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/078096    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/008662
Date de publication : 03.10.2002 Date de dépôt international : 22.03.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    15.10.2002    
CIB :
H01L 21/285 (2006.01)
Déposants : ORIOL, INC. [US/US]; 3390 Viso Court, Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventeurs : LEE, Jong, Lam; (KR).
JANG, Ho, Won; (KR).
KIM, Jong, Kyu; (KR).
JEON, Changmin; (KR)
Mandataire : GOLDMAN, Rebecca, A.; McKenna Long & Aldridge LLP, 1900 K Street, N.W., Washington, DC 20006 (US)
Données relatives à la priorité :
60/278,468 23.03.2001 US
  22.03.2002 US
Titre (EN) TREATING N-TYPE GaN WITH A C12-BASED INDUCTIVELY COUPLED PLASMA BEFORE FORMATION OF OHMIC CONTACTS
(FR) TRAITEMENT DE FILMS AU NITRURE DE GALLIUM (GAN) DE TYPE N, PAR ATTAQUE AU CHLORE (CL¿2?) ET PLASMA INDUCTIF, AVANT LA FORMATION DE CONTACTS OHMIQUES
Abrégé : front page image
(EN)Forming low contract resistance metal contacts on GaN films by treating a GaN surface using a chlorine gas Inductively Coupled Plasma (ICP) etch process before the metal contacts are formed. Beneficially, the GaN is n-type and doped with Si, while the metal contacts include alternating layers of Ti and Al. Additionally, the GaN film is dipped in a solution of HC1:H¿2?O prior to metal contact formation.
(FR)L'invention concerne la réalisation de contacts métalliques à faible résistance de contact sur des films au GaN, par traitement, selon un procédé d'attaque au chlore et plasma inductif, de la surface au GaN, avant la formation des contacts métalliques. Il est avantageux de prendre un GaN de type n dopé au Si, et de retenir par ailleurs la solution d'une alternance de couches de Ti et d'Al pour les contacts métalliques. De plus, les films au GaN sont plongés dans une solution de HCl:H¿2?O avant la réalisation des contacts.
États désignés : CN, DE, JP, KR.
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)