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1. (WO2002078091) STRUCTURE DE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/078091    N° de la demande internationale :    PCT/IB2002/000970
Date de publication : 03.10.2002 Date de dépôt international : 20.03.2002
CIB :
H01L 21/266 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 27/02 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/08 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL)
Inventeurs : PEAKE, Steven, T.; (NL).
GROVER, Raymond, J.; (NL)
Mandataire : STEVENS, Brian, T.; Internationaal Octrooibureau B.V., Prof. Holstlaan 6, NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
0107408.7 23.03.2001 GB
Titre (EN) FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURE
(FR) STRUCTURE DE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Abrégé : front page image
(EN)A field effect transistor structure is formed with a body semiconductor layer (5) having source (9), body (7), drift region and drain (11). An upper semiconductor layer (21) is separated from the body by an oxide layer (17). The upper semiconductor layer (21) is doped to have a gate region (23) arranged over the body (7), a field plate region (25) arranged over the drift region 13 and at least one p-n junction (26) forming at least one diode between the field plate region (25) and the gate region (23). A source contact (39) is connected to both the source (9) and the field plate region (25).
(FR)La présente invention concerne une structure à effet de champ pourvue d'une couche semi-conductrice de corps (5) qui présente une source (7), une région de dérive et un drain (11). Une couche semi-conductrice supérieure (21) est séparée du corps par une couche d'oxyde (17) et est dopée de façon à présenter une région de grille (23) sur le corps (7), une région de plaque de champ (25) sur la région de dérive (13) et au moins une jonction p-n (26) constituant au moins une diode entre la région de plaque de champ (25) et la région de grille (23). Un contact de source (39) est connecté à la fois à la source (9) et à la région de plaque de champ (25).
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)