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1. (WO2002078090) STRUCTURE DE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP ET PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/078090    N° de la demande internationale :    PCT/IB2002/000931
Date de publication : 03.10.2002 Date de dépôt international : 19.03.2002
CIB :
H01L 21/266 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/08 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL)
Inventeurs : PEAKE, Steven, T.; (NL)
Mandataire : STEVENS, Brian, T.; Internationaal Octrooibureau B.V., Prof. Holstlaan 6, NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
0107405.3 23.03.2001 GB
Titre (EN) FIELD-EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURE
(FR) STRUCTURE DE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP ET PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A field effect transistor structure is formed with a body semiconductor layer (1) having source (3), channel (7), drift region (9) and drain (5). An upper metallisation layer (15,17) is separated from the body by an oxide layer (11). The upper metallisation layer (15,17) has a gate region (15) arranged over the body and a field plate region (17) arranged over the drift region (9). A source contact (39) is connected to both the source (9) and the field plate region (25).
(FR)L'invention concerne une structure de transistor à effet de champ constituée d'une couche de corps semiconducteur (1) comprenant une source (3), un canal (7), une zone de migration (9) et un drain (5). Une couche de métallisation supérieure (15,17), séparée du corps par une couche d'oxyde (11), comporte une zone de grille (15) au-dessus du corps, et une zone de plaque de champ (17) au-dessus de la zone de migration (9). Un contact de source (39) est relié à la source (9) et à la zone de plaque de champ (25).
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)