WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2002078087) STRUCTURES DE SEMI-CONDUCTEUR POSSEDANT DE MULTIPLES COUCHES CONDUCTRICES DANS UNE OUVERTURE ET LEURS PROCEDES DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/078087    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/005371
Date de publication : 03.10.2002 Date de dépôt international : 20.02.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.09.2002    
CIB :
H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/48 (2006.01), H01L 23/552 (2006.01)
Déposants : TRU-SI TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 657 North Pastoria Avenue, Sunnyvale, CA 94085 (US)
Inventeurs : HALAHAN, Patrick, B.; (US).
SINIAGUINE, Oleg; (US)
Mandataire : SHENKER, Michael; MacPherson Kwok Chen & Heid LLP, 2001 Gateway Place, Suite 195E, San Jose, CA 95110 (US)
Données relatives à la priorité :
09/792,311 22.02.2001 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR CHIP HAVING MULTIPLE CONDUCTIVE LAYERS IN AN OPENING, AND METHOD FOR FABRICATING SAME
(FR) STRUCTURES DE SEMI-CONDUCTEUR POSSEDANT DE MULTIPLES COUCHES CONDUCTRICES DANS UNE OUVERTURE ET LEURS PROCEDES DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)In some embodiments, a circuit structure comprises a semiconductor substrate (110), an opening (130) passing through the substrate between a first side of the substrate and a second side (110B) of the substrate, and a plurality of conductive layers (210, 320) in the opening. In some embodiments, one conductive layer provides an electromagnetic shield that shields the substrate from AC signals carried by a contact pad (320C) made from another conductive layer on a backside of the substrate. The conductive layers can also be used to form capacitor/rectifier networks. Manufacturing methods are also provided.
(FR)Dans quelques modes de réalisation, une structure de circuit est composée d'un substrat de semi-conducteur (110), d'une ouverture (130) traversant le substrat entre un premier côté de ce substrat et un deuxième côté (110B) du substrat, ainsi que d'une pluralité de couches conductrices (210, 320) situées dans l'ouverture. Dans quelques modes de réalisation, une couche conductrice constitue un blindage électromagnétique protégeant le substrat contre des signaux de courant alternatif transportés par une plage de contact (320C) constituée par une autre couche conductrice sur un côté arrière du substrat. On peut également utiliser ces couches conductrices afin de créer des réseaux condensateur/redresseur. L'invention concerne également des procédés de fabrication.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)