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1. (WO2002078083) VIA DE TRANCHE DE CIRCUIT INTEGRE DE RACCORDEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/078083    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/008540
Date de publication : 03.10.2002 Date de dépôt international : 19.03.2002
CIB :
H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/498 (2006.01), H01L 25/065 (2006.01)
Déposants : FORMFACTOR, INC. [US/US]; 2140 Research Drive Livermore, CA 94550 (US) (Tous Sauf US).
MILLER, Charles, A. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MILLER, Charles, A.; (US)
Mandataire : MERKADEAU, Stuart, L.; Formfactor, Inc. 2140 Research Drive Livermore, CA 94550 (US)
Données relatives à la priorité :
09/819,181 27.03.2001 US
Titre (EN) IN-STREET INTEGRATED CIRCUIT WAFER VIA
(FR) VIA DE TRANCHE DE CIRCUIT INTEGRE DE RACCORDEMENT
Abrégé : front page image
(EN)Vertical holes (156) are created in streets separating individual integrated circuit (IC) dies formed on a semiconductor wafer, the holes spanning saw-lines (154) along which the wafer is to be later cut to separate the IC die from one another to form individual IC chips. The holes are then filled with conductive material (165). After the wafer is cut along the saw-lines, portions of the conductive material (165) on opposing sides of the saw-lines remain on peripheral edges of the IC chip to form signal paths (174, 180, 270, 272) between the upper and lower surfaces of the IC chips.
(FR)On réalise des trous verticaux (156) dans des chemins séparant des dés individuels de circuit intégré formés sur une tranche de semi-conducteur, les trous recouvrant des lignes de découpe (154) selon lesquelles la tranche doit être ultérieurement découpée afin de séparer les dés du circuit intégré les uns des autres pour constituer des puces. On remplit ensuite les trous d'un matériau conducteur (165). Lorsque la tranche a été découpée selon les lignes de découpe, des portions du matériau conducteur (165) sur les côtés opposés des lignes de découpe restent sur les bords périphériques de la puce du circuit intégré pour constituer des voies de signaux (174, 180, 270, 272) entre les faces supérieure et inférieure des puces du circuit intégré.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)