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1. (WO2002078082) STRUCTURE ELECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/078082    N° de la demande internationale :    PCT/GB2002/001414
Date de publication : 03.10.2002 Date de dépôt international : 25.03.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.04.2002    
CIB :
H01L 21/3105 (2006.01), H01L 21/311 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504 (US).
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; P.O. Box 41 North Harbour Portsmouth Hampshire PO6 3AU (GB) (MG only)
Inventeurs : ADAMS, Charlotte; (US).
STAMPER, Anthony; (US)
Mandataire : RICHARDS, John, Peter; IBM United Kingdom Limited Intellectual Property Law Hursley Park Winchester, Hampshire SO21 2JN (GB)
Données relatives à la priorité :
09/816,977 23.03.2001 US
Titre (EN) ELECTRONIC STRUCTURE
(FR) STRUCTURE ELECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A method for fabricating a dual damascene coper interconnect which electrically contacts a damascene tungsten wiring level (190) comprising forming a first layer on a semiconductor substrate, a silicon nitride layer (140) on the first layer, and a silicon dioxide layer (150) on the silicon nitride layer. The first layer includes damascene tungsten interconnect regions separated by electrically insulating material. A continuous space (630) is formed by etching two contact throughs (910) through the silicon dioxide and silicon nitride layers to expose damascene tungsten interconnect regions, and by etching a top portion of the silicon dioxide layer between the two contact throughs. A reduced-height portion of the silicon dioxide layer remains between the two contact troughs. The continuous space is filled with damascene copper. The resulting dual damascene copper interconnect electrically contacts the exposed damascene tungsten interconnect regions.
(FR)La présente invention concerne un procédé pour produire une interconnexion en cuivre de damasquinage double, qui est en contact électrique avec un niveau de câblage en tungstène de damasquinage. Ce procédé consiste à produire une première couche sur un substrat semi-conducteur, une couche de nitrure de silicium sur la première couche et une couche de dioxyde de silicium sur la couche de nitrure de silicium. La première couche comprend des régions d'interconnexion en tungstène de damasquinage qui sont séparées par un matériau d'isolation électrique. Un espace continu est produit par gravure de deux évidements de contact sur les couches de dioxyde de silicium et de nitrure de silicium, afin d'exposer les régions d'interconnexion en tungstène de damasquinage, et par gravure d'une partie supérieure de la couche de dioxyde de silicium, entre les deux évidements de contact. Une partie de hauteur réduite de la couche de dioxyde de silicium reste entre les deux évidements de contact. Ledit espace continu est rempli de cuivre de damasquinage. L'interconnexion en cuivre de damasquinage double résultante est en contact électrique avec les régions d'interconnexion en tungstène de damasquinage exposées.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)