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1. (WO2002078075) PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIFS A SEMICONDUCTEURS SOI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/078075    N° de la demande internationale :    PCT/BE2002/000043
Date de publication : 03.10.2002 Date de dépôt international : 25.03.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    27.09.2002    
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITÉ CATHOLIQUE DE LOUVAIN [BE/BE]; 1, place de l'Université, B-1348 Louvain-La-Neuve (BE) (Tous Sauf US).
FLANDRE, Denis [BE/BE]; (BE) (US Seulement).
NEVE de MEVERGNIES, Amaury [BE/BE]; (BE) (US Seulement).
RASKIN, Jean-Pierre [BE/BE]; (BE) (US Seulement)
Inventeurs : FLANDRE, Denis; (BE).
NEVE de MEVERGNIES, Amaury; (BE).
RASKIN, Jean-Pierre; (BE)
Mandataire : BIRD, William, E.; Bird Goën & Co, Klein Dalenstraat 42A, B-3020 Winksele (BE)
Données relatives à la priorité :
01870060.9 23.03.2001 EP
Titre (EN) FABRICATION METHOD OF SO1 SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIFS A SEMICONDUCTEURS SOI
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a method for fabrication of semiconductor devices, in particular but not limited to the fabrication of double gate transistors of the type Gate-All-Around or 'semiconductor-on-nothing' transistors and devices. A method according to the present invention comprises the steps of: (a) forming a trench in a least a first substrate, (b) transferring semiconductor material over the trench to form a semiconductor bridge across the trench, the semiconductor bridge defining an active area. The bridge may be free to oscillate above the trench without using removing a sacrificial layer. The method may also include the steps of: (c) forming a gate insulator on the semiconductor bridge, and (d) applying gate material on the gate insulator, thus forming a gate.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication de dispositifs à semiconducteurs et, en particulier mais de manière non limitative, de fabrication de transistors et dispositifs à double grille du type GAA (à « grille tout autour ») ou à « semiconducteur sur rien ». Le procédé de l'invention comprend les étapes suivantes : (a) on forme une tranchée dans au moins un premier substrat ; (b) on transfère le matériau semiconducteur par dessus la tranchée afin de former au-dessus de la tranchée un pont semiconducteur qui définit une zone active. Le pont peut être libre d'osciller au-dessus de la tranchée sans utilisation-élimination d'une couche sacrificielle. Le procédé précité peut également comprendre les étapes suivantes : (c) on forme un isolant de grille sur le pont semiconducteur, et (d) on applique une matière de grille sur l'isolant de grille, formant de la sorte une grille.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)