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1. (WO2002078071) PROCEDE DE REDUCTION D'UNE GRILLE DE CIRCUIT INTEGRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/078071    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/048596
Date de publication : 03.10.2002 Date de dépôt international : 12.12.2001
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01)
Déposants : ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; One AMD Place, Mail Stop 68, P.O. Box 3453, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US)
Inventeurs : HUI, Angela, T.; (US).
GRANDEHARI, Kouros; (US).
SINGH, Bhanwar; (US)
Mandataire : RODDY, Richard, J.; Advanced Micro Devices, Inc., One AMD Place, Mail Stop 68, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US)
Données relatives à la priorité :
09/818,369 27.03.2001 US
Titre (EN) METHOD OF SHRINKING AN INTEGRATED CIRCUIT GATE
(FR) PROCEDE DE REDUCTION D'UNE GRILLE DE CIRCUIT INTEGRE
Abrégé : front page image
(EN)An exemplary method of fabricating an integrated circuit includes patterning a first layer (28) having a first dimension where the first layer (28) is disposed over an etch stop layer (26) and a second layer (24); oxidizing the surface (30) of the patterned first layer (28); removing the oxidized surface (30) of the patterned first layer (28) resulting in a second dimension for the patterned first layer (28); and etching the etch stop layer (26) and the second layer (24) using the patterned first layer (28) having the second dimension as a hard mask.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un circuit intégré comportant les étapes suivantes: graver une première couche (28) d'une première dimension disposée sur une couche antidécapage (26) et sur une deuxième couche (24); oxyder la surface (30) de la première couche gravée (28); éliminer la surface (30) oxydée de la première couche gravée (28) qui prend alors une deuxième dimension; puis attaquer la couche antidécapage (26) et la deuxième couche (24) en utilisant la première couche gravée (28) d'une deuxième dimension comme masque dur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)