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1. (WO2002078070) DISPOSITIF DESTINE A LA CROISSANCE EPITAXIALE D'OBJETS PAR CVD
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/078070    N° de la demande internationale :    PCT/SE2002/000560
Date de publication : 03.10.2002 Date de dépôt international : 22.03.2002
CIB :
C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/458 (2006.01), C30B 25/10 (2006.01), C30B 25/12 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : ABB RESEARCH LIMITED [SE/SE]; P.O. Box 8131 CH-8050 Zürich (SE) (Tous Sauf US).
LIU, Yuijing [CN/SE]; (SE) (US Seulement).
LÖFGREN, Peter [SE/SE]; (SE) (US Seulement).
HALLIN, Christer [SE/SE]; (SE) (US Seulement).
ZHOU, Gang [CN/SE]; (SE) (US Seulement)
Inventeurs : LIU, Yuijing; (SE).
LÖFGREN, Peter; (SE).
HALLIN, Christer; (SE).
ZHOU, Gang; (SE)
Mandataire : OLSSON, Jan; Bjerkéns Patentbyra KB Box 1274 S-801 37 Gävle (SE)
Données relatives à la priorité :
0101012-3 23.03.2001 SE
Titre (EN) A DEVICE FOR EPITAXIALLY GROWING OBJECTS BY CVD
(FR) DISPOSITIF DESTINE A LA CROISSANCE EPITAXIALE D'OBJETS PAR CVD
Abrégé : front page image
(EN)A device for epitaxially growing objects by Chemical Vapour Deposition on substrates (13) comprises a casing (2) defining a room (5) for receiving a holder (11) carrying a plurality of substrates and adapted to be rotated about a substantially vertical axis as well as means for rotating said holder during the growth. The device has also means (10) for feeding a gas mixture for the growth into said room through an inlet (9) being directed substantially along said vertical axis and means (15) for heating said gas mixture inside said room for decomposition thereof and depositing of articles so formed on the substrate for growing layers thereon in a substantially vertical direction for said growth. The room (5) is delimited by a susceptor having fixed walls (7, 8) of a substantial thickness. The heating means (15) is adapted to heat the susceptor walls for heating said gas mixture substantially through radiation from the hot susceptor walls.
(FR)L'invention concerne un dispositif permettant la croissance épitaxiale d'objets par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) sur des substrats (13). Ce dispositif comprend un boîtier (2) définissant un espace (5) destiné à recevoir un support (11) portant une pluralité de substrats et conçu pour tourner autour d'un axe sensiblement vertical, ainsi qu'un moyen permettant la rotation de ce support pendant la croissance. Le dispositif comprend également un moyen d'alimentation (10) permettant de céder à cet espace un mélange gazeux destiné à la croissance par une entrée (9) qui est dirigée sensiblement le long de cet axe vertical et un moyen (15) permettant de chauffer ce mélange gazeux dans l'espace en vue de le décomposer et de déposer des articles ainsi formés sur le substrat pour la croissance de couches dessus dans une direction sensiblement verticale. L'espace (5) est délimité par un suscepteur ayant des parois fixes (7, 8) d'une épaisseur notable. Le moyen de chauffage (15) est conçu pour chauffer les parois du suscepteur pour chauffer le mélange gazeux sensiblement par rayonnement émanant des parois chaudes du suscepteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)