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1. (WO2002078069) ELEMENT DE SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/078069    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/002980
Date de publication : 03.10.2002 Date de dépôt international : 27.03.2002
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 31/10 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01), H01L 33/14 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01S 5/026 (2006.01), H01S 5/22 (2006.01), H01S 5/323 (2006.01), H01S 5/343 (2006.01), H01S 5/02 (2006.01)
Déposants : SONY CORPORATION [JP/JP]; 7-35, Kitashinagawa 6-chome Shinagawa-ku, Tokyo 141-0001 (JP) (Tous Sauf US).
KOBAYASHI, Toshimasa [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YANASHIMA, Katsunori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMAGUCHI, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAJIMA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KOBAYASHI, Toshimasa; (JP).
YANASHIMA, Katsunori; (JP).
YAMAGUCHI, Takashi; (JP).
NAKAJIMA, Hiroshi; (JP)
Mandataire : FUJISHIMA, Youichiro; 2F, Oodai Building 9-5, Shinjuku 1-chome Shinjuku-ku, Tokyo 160-0022 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-90893 27.03.2001 JP
Titre (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND PRODUCTION METHOD THEREOF
(FR) ELEMENT DE SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
Abrégé : front page image
(EN)A nitride semiconductor element which is so constituted as to be high in reliability and freedom of element design and manufacture, and which comprises seed crystal portions (11) formed on a sapphire substrate (10) and each having a mask (12) one side face thereof, and GaN layers (15) grown by a lateral-direction growth method on the sapphire substrate (10) and the seed crystal portions (11). Since a GaN layer (15) grows only from the side face, exposed and not covered by a mask (12), of a seed crystal portion (11), its lateral-direction growth progresses asymmerically and, therefore, a meeting portion (32) is formed to extent from near the interface between a seed crystal portion (11) and a mask (12) in a GaN layer (15) thickness direction. A meeting portion (32) formed in a position deviated in parallel to the substrate surface from the center between adjacent seed crystal portions (11) provides a structure in which the width W¿L? of a lateral-direction growth area with respect to the pitch W¿P? of the seed crystal portion (11) is larger than in conventional structures.
(FR)L'invention concerne un élément de semi-conducteur au nitrure constitué de façon à posséder une fiabilité élevée et une liberté de conception et de fabrication. Ledit élément comprend des parties de cristal (11) d'ensemencement formé sur un substrat de saphir (10), chaque partie étant dotée d'un masque disposé sur une face latérale; et des couches GaN (15) développées à l'aide d'un procédé de croissance dans le sens latéral sur le substrat de saphir (10) et les parties de cristal (11) d'ensemencement. Du fait qu'une couche GaN (15) croit uniquement à partir de la face latérale, exposée et non recouverte par le masque, de la partie de cristal? ¿(11) d'ensemencement, la croissance de ladite couche dans le sens latéral progresse asymétriquement et, une partie de jonction (15) est formée de façon à s'étendre depuis un site proche de l'interface entre la partie de cristal (11) d'ensemencement et le masque (12), dans le sens de l'épaisseur de ladite couche GaN (15). La partie de jonction (32) formée dans une position décalée en parallèle à la surface du substrat, depuis le centre situé entre les parties de cristal (11) d'ensemencement adjacentes, fournit une structure dans laquelle la largeur WL de la zone de croissance dans le sens latéral par rapport au pas WP de cette partie (11) est plus grande que dans les structures classiques.
États désignés : CN, KR, US.
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)