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1. (WO2002078068) PROCEDE DE CROISSANCE DE CRISTAL DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSE PAR EPITAXIE EN PHASE VAPEUR ORGANO-METALLIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/078068    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/002830
Date de publication : 03.10.2002 Date de dépôt international : 25.03.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    26.08.2002    
CIB :
C30B 25/02 (2006.01), C30B 25/14 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY CORPORATION [JP/JP]; 1-8, Hon-cho 4-chome, Kawaguchi-shi, Saitama 332-0012 (JP) (Tous Sauf US).
NAKANO, Yoshiaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SHIMOGAKI, Yukihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKANO, Takayuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUKUSHIMA, Yasuyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NAKANO, Yoshiaki; (JP).
SHIMOGAKI, Yukihiro; (JP).
NAKANO, Takayuki; (JP).
FUKUSHIMA, Yasuyuki; (JP)
Mandataire : SHIMIZU, Mamoru; Ohzono Bldg., 7-10, Kanda-mitoshiro-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 101-0053 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-90805 27.03.2001 JP
Titre (EN) METHOD FOR GROWING CRYSTAL OF COMPOUND SEMICONDUCTOR BY MOVPE
(FR) PROCEDE DE CROISSANCE DE CRISTAL DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSE PAR EPITAXIE EN PHASE VAPEUR ORGANO-METALLIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A method for growing a crystal of a compound semiconductor by MOVPE, in which a GaAs/InGaP interface, an InGaP/GaAs interface, or GaAs/InGaP/GaAs interfaces are created by sharp MOVPE. The method for creating GaAs/InGaP/GaAs interfaces by MOVPE growth comprises a steps of feeding an As compound gas and a Ga compound gas into a reaction tube, reacting the As compound gas with the Ga compound gas, and thereby carrying out GaAs growth, a step of stopping the feed of the Ga compound gas so as to eliminate droplets of Ga, a step of previously feeding the Ga compound gas into the reaction tube so as to react Ga in the Ga compound gas with surface excessive As and to produce GaAs, a step of feeding an In compound gas a predetermined time after the feeding of the Ga compound gas, feeding an P compound gas into the reaction tube a predetermined time after the feeding of the In compound gas, causing a reaction so as to cause InGaP growth, a step of feeding the P compound gas into the reaction tube for a long time at the InGaP growth step, and a step of previously feeding the Ga compound gas into the reaction tube after the stop of the feeding of the P compound gas, feeding the As compound gas into the reaction tube after a predetermined time, causing a reaction so as to cause GaAs growth.
(FR)L'invention concerne un procédé de croissance d'un cristal d'un semi-conducteur composé par épitaxie en phase vapeur organo-métallique, MOVPE, se caractérisant en ce qu'une interface GaAs/InGaP, une interface InGaP/GaAs ou des interfaces GaAs/InGaP/GaAs sont formées par MOVPE élevée. Le procédé de création d'interfaces GaAs/InGaP/GaAs par croissance MOVPE consiste à amener un gaz composé As et un gaz composé Ga dans un tube de réaction faisant réagir le gaz composé As avec le gaz composé Ga, ce qui permet de réaliser la croissance GaAs; à arrêter l'amenée du gaz composé Ga pour éliminer les gouttelettes de Ga; à amener d'abord le gaz composé Ga dans le tube de réaction de façon à faire réagir Ga dans le gaz composé Ga avec As en excès superficiel et à produire GaAs; à amener un gaz composé In un certain temps après l'amenée du gaz composé Ga, amenant un gaz composé P dans le tube de réaction un certain temps après l'amenée du gaz composé In, à provoquer une réaction de façon à entraîner la croissance de InGaP; à amener le gaz composé P dans le tube de réaction pendant une longue période au stade de la croissance de InGaP, et à amener d'abord le gaz composé Ga dans le tube de réaction après l'arrêt de l'amenée du gaz composé P, amenant le gaz à composé As dans le tube de réaction après un certain temps, ce qui provoque une réaction entraînant la croissance de GaAs.
États désignés : CA, JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)