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1. (WO2002078067) PROCÉDÉ DE TIRAGE DE CRISTAUX DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ À BASE DE NITRURE DE GALLIUM, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE COMPORTANT UN SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ À BASE DE NITRURE DE GALLIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/078067    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/002660
Date de publication : 03.10.2002 Date de dépôt international : 20.03.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    03.07.2002    
CIB :
C30B 25/02 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : ARAKAWA, Yasuhiko [JP/JP]; (JP).
SOMEYA, Takao [JP/JP]; (JP).
HOSHINO, Katsuyuki [JP/JP]; (JP)
Inventeurs : ARAKAWA, Yasuhiko; (JP).
SOMEYA, Takao; (JP).
HOSHINO, Katsuyuki; (JP)
Mandataire : INABA, Shigeru; NARUSE, INABA & INAMI, Hanabishi Imas Hirakawacho Building, 4th Floor, 3-11, Hirakawacho 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 102-0093 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-84297 23.03.2001 JP
Titre (EN) METHOD FOR GROWING CRYSTAL OF GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR AND ELECTRONIC DEVICE HAVING GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR
(FR) PROCÉDÉ DE TIRAGE DE CRISTAUX DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ À BASE DE NITRURE DE GALLIUM, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE COMPORTANT UN SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ À BASE DE NITRURE DE GALLIUM
Abrégé : front page image
(EN)The crystallinity of a gallium nitride compound semiconductor used for an electronic device is improved and the flatness of the surface is also improved. In a method for crystal-growing a gallium nitride compound semiconductor layer on a sapphire substrate, the epitaxial growth surface of the substrate is set at an angle of 5 degrees or less with respect to surface A. The off angle preferably lies in the range of 0.25 to 0.75 degrees and the epitaxial growth surface is inclined off toward the M axis.
(FR)La cristallinité d'un semi-conducteur composé à base de nitrure de gallium utilisé pour un dispositif électronique est améliorée et la planéité de la surface est aussi améliorée. Dans un procédé pour le tirage du cristal d'une couche de semi-conducteur composé à base de nitrure de gallium sur un substrat de saphir, la surface de croissance épitaxiale du substrat fait un angle n'excédant pas 5 degrés par rapport à la surface A. L'écart angulaire est de préférence dans une place de 0,25 à 0,75 degrés, la surface de croissance épitaxiale étant inclinée vers l'axe M.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)