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1. (WO2002078064) PROCESSUS DE GRAVURE ELECTROCHIMIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/078064    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/008956
Date de publication : 03.10.2002 Date de dépôt international : 20.03.2002
CIB :
H01L 21/3063 (2006.01)
Déposants : BOSTON MICROSYSTEMS, INC. [US/US]; 30-H Sixth Road Woburn, MA 01801 (US) (Tous Sauf US).
MLCAK, Richard [CA/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MLCAK, Richard; (US)
Mandataire : SMITH, James, M.; Hamilton, Brook, Smith & Reynolds, P.C. 530 Virginia Road P.O. Box 9133 Concord, MA 01742-9133 (US)
Données relatives à la priorité :
09/817,729 26.03.2001 US
Titre (EN) ELECTROCHEMICAL ETCHING PROCESS
(FR) PROCESSUS DE GRAVURE ELECTROCHIMIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A method of electrochemically etching a device, including forming a semiconductor substrate having a p-type semiconductor region on an n-type semiconductor region. A discrete semiconductor regionis formed on the p-type semiconductor region and is isolated from the n-type semiconductor region. The n-type semiconductor region is exposed to an electrolyte with an electrical bias applied between the n-type semiconductor region and the electrolyte. The n-type semiconductor region is also exposed to radiation having energy sufficient to excite electron-hole pairs. In addition, a p-n junction reverse bias is applied between the p-type semiconductor region and the n-type semiconductor region to prevent the p-type semiconductor region and the discrete semiconductor region from etching while portions of the n-type semiconductor region exposed to the electrolyte and the radiation are etched.
(FR)La présente invention concerne un procédé permettant de graver électrochimiquement un dispositif, qui consiste à former un substrat semiconducteur possédant une région semiconductrice de type p sur une région semiconductrice de type n. On forme une région semiconductrice discrète sur la région semiconductrice de type p et on l'isole de la région semiconductrice de type n. On expose la région semiconductrice de type n à un électrolyte avec une polarisation électrique appliquée entre la région semiconductrice de type n et cet électrolyte. On expose aussi la région semiconductrice de type n à un rayonnement dont l'énergie est suffisante pour exciter des paires électron-trou. On applique par ailleurs une polarisation inverse de jonction p-n entre la région semiconductrice de type p et la région semiconductrice de type n de façon à faire en sorte que la région semiconductrice de type p et la région semiconductrice discrète ne soient pas attaquées pendant que des parties de la région semiconductrice de type n exposées à l'électrolyte et au rayonnement sont attaquées.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)