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1. (WO2002078061) OXYDATION DE SILICIUM EN RETRAIT DESTINE A DES DISPOSITIFS TELS QU'UN CMOS SOI A MICROCIRCUITS INTEGRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/078061    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/011164
Date de publication : 03.10.2002 Date de dépôt international : 22.03.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    21.10.2002    
CIB :
H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : HONEYWELL INTERNATIONAL INC. [US/US]; 101 Columbia Avenue, P.O. Box 2245, Morristown, NJ 07960 (US)
Inventeurs : VOGT, Eric, E.; (US).
YUE, Cheisen, J.; (US)
Mandataire : CRISS, Roger, H.; Honeywell International Inc., 101 Columbia Avenue, P.O. Box 2245, Morristown, NJ 07960 (US)
Données relatives à la priorité :
09/681,351 23.03.2001 US
Titre (EN) RECESSED SILICON OXIDATION FOR DEVICES SUCH AS A CMOS SOI ICs
(FR) OXYDATION DE SILICIUM EN RETRAIT DESTINE A DES DISPOSITIFS TELS QU'UN CMOS SOI A MICROCIRCUITS INTEGRES
Abrégé : front page image
(EN)A method is provided to form a LOCOS isolation in a CMOS SOI device. The SOI has a top silicon layer, a bottom silicon layer, and an insulation layer between the top and bottom silicon layers. An oxide layer is formed over the top silicon layer, and an LPCVD layer is deposited over the oxide layer. A photoresist is provided over the LPCVD layer that exposes a localized area of the LPCVD layer. The LPCVD layer and the oxide layer are etched away through the localized area to expose the top silicon layer. The silicon in the top silicon layer is etched so as to form a recess in the top silicon layer. The photoresist is removed and an isolation oxide is grown over the silicon in the recess so that the silicon in the recess is fully oxidized.
(FR)L'invention concerne un procédé destiné à former une isolation LOCOS dans un dispositif CMOS silicium sur isolant (SOI). Le SOI comporte une couche de silicium supérieure, une couche de silicium inférieure, et une couche d'isolation située entre les couches supérieure et inférieure. Une couche d'oxyde est formée sur la couche de silicium supérieure, et une couche de dépôt en phase vapeur de substances chimiques à basse pression est déposée sur la couche d'oxyde. Une résine photosensible est déposée sur la couche de dépôt en phase vapeur de substances chimiques à basse pression qui expose une zone localisée de ladite couche. Cette couche de dépôt en phase vapeur de substances chimiques à basse pression et la couche d'oxyde sont enlevées par gravure à travers la zone localisée afin d'exposer la couche de silicium supérieure. Le silicium de la couche de silicium supérieure est gravé de manière à former un retrait dans ladite couche. La résine photosensible est retirée et on fait croître un oxyde d'isolement dans le retrait de sorte que le silicium contenu dans ce retrait soit complètement oxydé.
États désignés : Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)