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1. (WO2002078060) PROCESSUS DE DAMASQUINAGE METTANT EN OEUVRE DES FILMS ISOLANTS DIELECTRIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/078060    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/049825
Date de publication : 03.10.2002 Date de dépôt international : 19.12.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.10.2002    
CIB :
H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; One AMD Place, Mail Stop 68, P.O. Box 3453, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US)
Inventeurs : YANG, Kai; (US).
ERB, Darrell, M.; (US).
WANG, Fei; (US)
Mandataire : RODDY, Richard, J.; Advanced Micro Devices, Inc., One AMD Place, Mail Stop 68, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US).
WRIGHT, Hugh, R.; Brookes Batchellor, 102-108 Clerkenwell Road, London EC1M 5SA (GB)
Données relatives à la priorité :
09/817,056 27.03.2001 US
Titre (EN) DAMASCENE PROCESSING USING DIELECTRIC BARRIER FILMS
(FR) PROCESSUS DE DAMASQUINAGE METTANT EN OEUVRE DES FILMS ISOLANTS DIELECTRIQUES
Abrégé : front page image
(EN)Damascene processing is implemented with dielectric barrier films (50, 90, 91) for improved step coverage and reduced contact resistance. Embodiments include the use of two different dielectric films (50, 31) to avoid misalignment problems. Embodiments further include dual damascene (100A, 100B) processing using Cu metallization (100).
(FR)L'invention concerne la mise en oeuvre d'un processus de damasquinage réalisé avec des films isolants diélectriques (50, 90, 91) pour un recouvrement graduel amélioré et une résistance au contact réduite. Dans des formes de réalisation, on décrit l'utilisation deux deux films diélectriques différents (50, 31) pour éviter les problèmes de désalignement. D'autres formes de réalisation mettent en oeuvre un processus de double damasquinage (100A, 100B) réalisé par métallisation au cuivre (100).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)