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1. (WO2002078059) PROCEDES DE FABRICATION DE CELLULES ET D'UN RESEAU A EMISSION PAR EFFET DE CHAMP A DECLENCHEMENT AUTO-ALIGNE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/078059    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/032572
Date de publication : 03.10.2002 Date de dépôt international : 18.10.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    18.10.2001    
CIB :
H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : THE GOVERNMENT OF THE UNITED STATES OF AMERICA, AS REPRESENTED BY THE SECRETARY OF THE NAVY [US/US]; Naval Research Laboratory 4555 Overlook Avenue, SW Washington, DC 20375-5325 (US)
Inventeurs : HSU, David; (US)
Mandataire : KARASEK, John, J.; Associate Counsel (Patents), Code 1008.2 Naval Research Laboratory 4555 Overlook Avenue, SW Washington, CD 20375-5325 (US)
Données relatives à la priorité :
09/813,859 22.03.2001 US
Titre (EN) METHODS FOR MANUFACTURE OF SELF-ALIGNED INTEGRALLY GATED NANOFILAMENT FIELD EMITTER CELLS AND ARRAY
(FR) PROCEDES DE FABRICATION DE CELLULES ET D'UN RESEAU A EMISSION PAR EFFET DE CHAMP A DECLENCHEMENT AUTO-ALIGNE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention discloses a new field emitter cell (100) and array consisting of groups of nanofilaments (114) forming emitter cathodes. Control gates are microprocessed to be integrally formed with groups of nanofilament emitter cathodes on a substrate. Groups of nanofilaments are grown directly on the substrate material. As a result, the control gates and groups of nanofilaments are self-aligned with one another.
(FR)La présente invention concerne une nouvelle cellule et un réseau à émission par effet de champ (100) constitué de groupes de nanotubes (114) formant des cathodes émettrices. Des grilles de commande sont conçues intégralement avec des groupes de cathodes émettrices à nanotubes sur un substrat. Les groupes de nanotubes sont obtenus directement par croissance sur le matériau de support. Ainsi, les grilles de commande et les groupes de nanotubes sont autoalignés.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)