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1. (WO2002078044) PROCEDE DE TRAITEMENT D'UNE SURFACE D'UNE PIECE A TRAVAILLER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/078044    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/002751
Date de publication : 03.10.2002 Date de dépôt international : 22.03.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.10.2002    
CIB :
H01J 37/317 (2006.01), H01J 37/32 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
Déposants : EBARA CORPORATION [JP/JP]; 11-1, Haneda Asahi-cho, Ohta-ku, Tokyo 144-8510 (JP) (Tous Sauf US).
ICHIKI, Katsunori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMAUCHI, Kazuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HIYAMA, Hirokuni [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAMUKAWA, Seiji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ICHIKI, Katsunori; (JP).
YAMAUCHI, Kazuo; (JP).
HIYAMA, Hirokuni; (JP).
SAMUKAWA, Seiji; (JP)
Mandataire : WATANABE, Isamu; GOWA Nishi-Shinjuku 4F, 5-8, Nishi-Shinjuku 7-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 160-0023 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-88888 26.03.2001 JP
Titre (EN) METHOD OF PROCESSING A SURFACE OF A WORKPIECE
(FR) PROCEDE DE TRAITEMENT D'UNE SURFACE D'UNE PIECE A TRAVAILLER
Abrégé : front page image
(EN)A plasma generator generates positive ions and negative ions in a plasma. An ion extracting portion (4, 5) selectively extracts the generated positive ions and negative ions from the plasma, and accelerates the extracted ions in a predetermined direction. The positive ions and the negative ions are selectively applied to the workpiece (X). The plasma generator applies a high-frequency voltage to a process gas in a vacuum chamber for generating a plasma which is composed of positive ions and electrons from the process gas, and interrupts the high-frequency voltage for attaching the electrons to the residual process gas to generate negative ions. The application of the high-frequency voltage and the interruption of the high-frequency voltage are alternately repeated.
(FR)Selon l'invention, un générateur de plasma génère des ions positifs et négatifs dans un plasma. Une partie d'extraction d'ions (4, 5) extraie de manière sélective les ions positifs et négatifs générés à partir du plasma et accélère les ions extraits dans une direction prédéterminée. Les ions positifs et négatifs sont appliqués de manière sélective sur la pièce à travailler (X). Le générateur de plasma applique une tension haute fréquence sur un gaz de procédé dans une chambre à vide, aux fins de génération d'un plasma composé d'ions positifs et d'électrons provenant du gaz de procédé et interrompt la tension haute fréquence, de manière à fixer les électrons sur le gaz de procédé résiduel, aux fins de génération d'ions négatifs. L'application d'une tension haute fréquence et l'interruption de celle-ci sont répétées de manière alternée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)