WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2002078006) SYSTEME ET PROCEDE D'EXECUTION D'UN RAFRAICHISSEMENT PARTIEL DE LA MEMOIRE DRAM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/078006    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/008729
Date de publication : 03.10.2002 Date de dépôt international : 22.03.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    11.10.2002    
CIB :
G11C 11/406 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; 5775 Morehouse Drive, San Diego, CA 92121-1714 (US)
Inventeurs : SIMMONDS, Stephen, M.; (US).
HUSSEINI, Jalal, El; (US).
ZHANG, Haitao; (US).
ZOU, Qiuzhen; (US)
Mandataire : WADSWORTH, Philip, R.; Qualcomm Incorporated, 5775 Morehouse Drive, San Diego, CA 92121-1714 (US)
Données relatives à la priorité :
09/815,516 23.03.2001 US
Titre (EN) SYSTEM AND METHOD FOR PERFORMING A PARTIAL DRAM REFRESH
(FR) SYSTEME ET PROCEDE D'EXECUTION D'UN RAFRAICHISSEMENT PARTIEL DE LA MEMOIRE DRAM
Abrégé : front page image
(EN)A system and method for performing a partial refresh of memory cells within a memory drive. The selection of rows to be refreshed is based on an algorithm. Each selected row of memory cells is compared to an indicator chosen by a manufacturer, user, or software internal to an electrical device. Depending on this comparison, the next row to be refreshed may be, but is not limited to, a row based on the algorithm or a first row in the DRAM array.
(FR)L'invention concerne un système et un procédé permettant de rafraîchir partiellement des cellules de mémoire dans une unité de mémoire. La sélection des rangées à rafraîchir est fondée sur un algorithme. Chaque rangée de cellules de mémoire choisie est comparée à un indicateur choisi par le fabricant, l'utilisateur ou le logiciel interne à un dispositif électrique. En fonction de la comparaison, la rangée suivante à rafraîchir peut être, de façon non exhaustive, une rangée fondée sur l'algorithme ou une première rangée dans la matrice de mémoire DRAM.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)