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1. (WO2002077682) INTEGRATION VERTICALE A MODE SIMPLE DE DISPOSITIFS ACTIFS DANS DES GUIDES D'ONDES SEMI-CONDUCTEURS PASSIFS, PROCEDE ET APPLICATIONS LORS D'UNE UTILISATION DANS DES COMPOSANTS MRL PLANAIRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/077682    N° de la demande internationale :    PCT/CA2002/000194
Date de publication : 03.10.2002 Date de dépôt international : 18.02.2002
CIB :
G02B 6/12 (2006.01), H01L 31/105 (2006.01)
Déposants : METROPHOTONICS INC. [CA/CA]; 1887 St. Joseph Boulevard Ottawa, Ontario K1C 7J2 (CA) (Tous Sauf US).
TOLSTIKHIN, Valery, I. [CA/CA]; (CA) (US Seulement)
Inventeurs : TOLSTIKHIN, Valery, I.; (CA)
Mandataire : FREEDMAN, Gordon; Freedman & Associates Suite 350 117 Centrepointe Drive Nepean, Ontario K2G 5X3 (CA)
Données relatives à la priorité :
60/278,750 27.03.2001 US
Titre (EN) VERTICAL INTEGRATION OF ACTIVE DEVICES WITH PASSIVE SEMICONDUCTOR WAVEGUIDES
(FR) INTEGRATION VERTICALE A MODE SIMPLE DE DISPOSITIFS ACTIFS DANS DES GUIDES D'ONDES SEMI-CONDUCTEURS PASSIFS, PROCEDE ET APPLICATIONS LORS D'UNE UTILISATION DANS DES COMPOSANTS MRL PLANAIRES
Abrégé : front page image
(EN)The invention discloses a method for monolithic integration of active devices with passive semiconductor waveguides and the applic ation of this method for use in InP-based planar wavelength division multiplexing components of optical communication systems. The epitaxial structure of a monolithically integrated device is grown in a single run and comprises a number of layers, such that the lower part of the structure acts as a single mode passive waveguide (2, 3, 4, 6, 7) while the upper part of the structure contains a planar PIN diode (7, 8, 9, 10). The PIN structure is present only in the active waveguide portion and absent in all the passive waveguide portions. The active and passive waveguide portions have substantially similar guiding properties with the exception of a mode tail above a top surface of the passive waveguide portion within the active waveguide portion. As a result, an optical signal propagating within the active waveguide portion penetrates the I-layer (8) of the PIN structure and interacts with semiconductor material therein for actively affecting an intensity of the optical signal with no substantial changes in guiding properties of the semiconductor waveguide. Embodiments of invention in the form of monolithically integrated waveguide photodetector, electro-absorptive attenuator and semiconductor optical amplifier are disclosed in terms of detailed epitaxial structure, layout and performance characteristics of the device.
(FR)Cette invention porte sur un procédé d'intégration monolithique de dispositifs actifs dans des guides d'ondes semi-conducteurs passifs et sur l'application de ce procédé lors d'une utilisation dans des composants de multiplexage par répartition en longueur d'onde planaires à base InP de systèmes de communications optiques. La structure épitaxiale d'un dispositif à intégration monolithique est produite en une seule étape et comprend un certain nombre de couches, la partie inférieure de la structure agissant comme guide d'onde passif à mode simple et la partie supérieure de la structure comprenant une diode PIN planaire. La structure PIN est uniquement présente dans la partie guide d'onde actif, et est absente dans toutes les parties guide d'onde passif. Les parties guide d'onde actif et passif présentent des propriétés de guidage sensiblement semblables, à l'exception d'une extrémité de mode située au-dessus d'une surface supérieure de la partie guide d'onde passif dans la partie guide d'onde actif. De ce fait, un signal optique se propageant dans la partie guide d'onde actif pénètre dans la couche I de la structure PIN et interagit avec un matériau semi-conducteur pour toucher activement une intensité du signal optique en n'entraînant sensiblement aucune modification dans les propriétés de guidage du guide d'onde semi-conducteur. Des modes de réalisation préférés de l'invention concernent un photodétecteur de guide d'onde à intégration monolithique, un affaiblisseur électro-absorbant ainsi qu'un amplificateur optique à semi-conducteur selon les caractéristiques détaillées de structure épitaxiale, de conception et de performance du dispositif.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)