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1. (WO2002077675) SYSTEME DE DETECTION OPTIQUE DE TRANSFERT D'ELECTRONS A ELEMENTS MULTIPLES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/077675    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/009198
Date de publication : 03.10.2002 Date de dépôt international : 14.03.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    10.10.2002    
CIB :
H01J 40/14 (2006.01), H01L 31/00 (2006.01), H05B 41/14 (2006.01)
Déposants : THE GOVERNMENT OF THE UNITED STATES OF AMERICA AS REPRESENTED BY THE ADMINISTRATOR OF THE NATIONAL AERONAUTICS AND SPACE ADMINISTRATION (NASA) [US/US]; 300 E. Street, SW, Washington, DC 20546 (US)
Inventeurs : JORDAN, Jeffrey, D.; (US)
Mandataire : HAMMERLE, Kurt, G.; NASA Langley Research Center, Mail Stop 212, 3 Langley Boulevard, Hampton, VA 23681-2199 (US)
Données relatives à la priorité :
60/276,568 14.03.2001 US
10/097,699 13.03.2002 US
Titre (EN) MULTI-ELEMENT ELECTRON-TRANSFER OPTICAL DETECTOR SYSTEM
(FR) SYSTEME DE DETECTION OPTIQUE DE TRANSFERT D'ELECTRONS A ELEMENTS MULTIPLES
Abrégé : front page image
(EN)A multi-element optical detector system includes an electrically resistive screen (12) that is substantially transparent to radiation energy (14) having a wavelength of interest. A plurality of electron transfer elements (18,32) (e.g., a low work function photoactive material or a carbon nanotube (CNT)-based element) are provided with each having a first end and a second end. The first end of each element is spaced apart from the screen_by an evacuated gap (20). When the radiation energy passes through the screen with a bias voltage (16) applied thereto, transfer of electrons through each element is induced from the first end top the second end such that a quantity indicative of the electrons transferred through each element can be detected (52).
(FR)La présente invention concerne un système de détection optique à éléments multiples comportant un écran de résistance électrique qui est sensiblement transparent à l'énergie de rayonnement présentant une longueur d'onde d'intérêt. Une pluralité d'éléments de transfert d'électrons (par exemple, un matériau photosensible à faible charge de travail ou un élément à base de nanotube de carbone) sont prévus, chacun présentant une première extrémité et une deuxième extrémité. La première extrémité de chaque élément est espacée de l'écran par un espace sous vide. Lorsque l'énergie de rayonnement traverse l'écran avec une tension de polarisation qui y est appliquée, le transfert d'électrons à travers les éléments est induit à partir de la première extrémité vers la deuxième extrémité de sorte qu'une quantité représentative des électrons transférés à travers chaque élément puisse être détectée. FIG. 9 : 62G, 62I COUCHES LUMINESCENTES 14 LENTILLE DE FOCALISATION 12 ECRAN DE RESISTANCE 18 ELEMENTS DE TRANSFERT D'ELECTRONS 52 DISPOSITIF DE MESURE 54 AFFICHAGE
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)