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1. (WO2002077654) PROCEDE PERMETTANT DE DETECTER LA DOSE DE PORTEURS DANS UNE PLAQUETTE EN SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/077654    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/008418
Date de publication : 03.10.2002 Date de dépôt international : 19.03.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    21.08.2002    
CIB :
G01R 31/26 (2006.01), G01R 31/28 (2006.01), G01R 31/312 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01)
Déposants : SOLID STATE MEASUREMENTS, INC. [US/US]; 110 Technology Drive, Pittsburgh, PA 15275 (US) (Tous Sauf US).
HOWLAND, William, H. [US/US]; (US) (US Seulement).
HILLARD, Robert, J. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HOWLAND, William, H.; (US).
HILLARD, Robert, J.; (US)
Mandataire : LOGSDON, William, H.; Webb Ziesenheim Logsdon, Orkin & Hanson, P.C., 700 Koppers Building, 436 Seventh Avenue, Pittsburgh, PA 15219-1818 (US)
Données relatives à la priorité :
60/278,548 23.03.2001 US
Titre (EN) METHOD OF DETECTING CARRIER DOSE OF A SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) PROCEDE PERMETTANT DE DETECTER LA DOSE DE PORTEURS DANS UNE PLAQUETTE EN SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A product semiconductor wafer (8) has integrated circuits (40) separated by scribe lines (42). A probe (20) having an elastically deformable, electrically conductive tip (24) is moved into contact with one of the scribe lines (42) thereby forming a test structure. A suitable electrical stimulus (32) is applied to the test structure and a response of the test structure to the electrical stimulus is measured. At least one property of the product semiconductor wafer (8) is determined from the response.
(FR)La présente invention concerne un produit de plaquette (8) en semi-conducteur pourvu de circuits intégrés (40) séparés par des lignes de découpe (42). Une sonde (20) dotée d'une extrémité électroconductrice et élastiquement déformable est mise en contact avec une des lignes de découpe (42), constituant ainsi une structure d'essai. Un stimulus électrique (32) adéquat est appliqué à la structure d'essai et une réponse de la structure d'essai au stimulus électrique est mesurée. Au moins une propriété du produit de plaquette (8) en semi-conducteur est déterminée en fonction de la réponse mesurée.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)