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1. (WO2002077570) PROCEDE DE DETECTION D'ELEMENTS PRESENTANT UN PROFIL ASYMETRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/077570    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/043805
Date de publication : 03.10.2002 Date de dépôt international : 13.11.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.10.2002    
CIB :
G01B 11/24 (2006.01), G01B 11/26 (2006.01), G01B 11/30 (2006.01), G01N 21/21 (2006.01), G01N 21/47 (2006.01), G01N 21/95 (2006.01)
Déposants : ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; One AMD Place, Mail Stop 68, P.O. Box 3543, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US)
Inventeurs : SINGH, Bhanwar; (US).
TEMPLETON, Michael, K.; (US).
RANGARAJAN, Bharath; (US).
SUBRAMANIAN, Ramkumar; (US)
Mandataire : RODDY, Richard, J.; Advanced Micro Devices, Inc., One AMD Place, Mail Stop 68, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US).
WRIGHT, Hugh R.; Brookes Batchellor, 102-108 Clerkenwell Road, London EC1M 5SA (GB)
Données relatives à la priorité :
09/817,820 26.03.2001 US
Titre (EN) METHOD TO MEASURE FEATURES WITH ASYMMETRICAL PROFILE
(FR) PROCEDE DE DETECTION D'ELEMENTS PRESENTANT UN PROFIL ASYMETRIQUE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention is directed to a method (58) for detecting asymmetry in the profile of a feature (82) formed on a wafer during the process of semiconductor fabrication. The method (58) encompasses directing a beam of light or radiation at a feature (66) and detecting a reflected beam associated therewith (68). Data associated with the reflected beam is correlated with data associated with known feature profile s(19) to ascertain profile characteristics associated with the feature of interest (192). Using the profile characteristics, an asymmetry of the feature is determined (192) which is then used to generate feedback or feedforward process control data (200) to compensate for or correct such asymmetry in subsequent processing.
(FR)La présente invention concerne un procédé (58) destiné à détecter une asymétrie dans le profil d'un élément (82) formé sur une tranche pendant une opération de fabrication de semi-conducteur. Ce procédé (58) consiste à diriger un faisceau de lumière ou un rayonnement sur un élément (66), puis à détecter un faisceau réfléchi associé (68). Les données associées au faisceau réfléchi sont mises en corrélation avec des données associées à des profils d'éléments connus (19) en vue de vérifier les caractéristiques de profil associées à l'élément d'intérêt (192). A l'aide de ces caractéristiques de profil, on identifie une asymétrie de l'élément (192), cette identification étant alors utilisée pour produire des données de commande de processus à action prédictive ou rétroactive (200) permettant de compenser ou de corriger ladite asymétrie lors d'un traitement ultérieur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)