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1. (WO2002077329) GERME CRISTALLIN POUR CROISSANCE EPITAXIALE D'UN MONOCRISTAL DE FLUORURE DE CALCIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/077329    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/002876
Date de publication : 03.10.2002 Date de dépôt international : 31.01.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    16.09.2002    
CIB :
C30B 11/00 (2006.01), C30B 11/14 (2006.01)
Déposants : CORNING INCORPORATED [US/US]; 1 Riverfront Plaza, Corning, NY 14831 (US) (Tous Sauf US).
BEALL, George H [US/US]; (US).
DENEKA, Charles W [US/US]; (US) (US Seulement).
KAR, Gitimoy [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BEALL, George H; (US).
DENEKA, Charles W; (US).
KAR, Gitimoy; (US)
Mandataire : MURPHY, Edward F; Corning Incorporated, SP TI 3 1, Corning, NY 14831 (US)
Données relatives à la priorité :
09/818,160 27.03.2001 US
Titre (EN) SEED CRYSTAL FOR EPITAXIAL GROWTH OF SINGLE-CRYSTAL CALCIUM FLUORIDE
(FR) GERME CRISTALLIN POUR CROISSANCE EPITAXIALE D'UN MONOCRISTAL DE FLUORURE DE CALCIUM
Abrégé : front page image
(EN) A nucleant seed for epitaxial growth of single-crystal CaF¿2? includes SrF¿2?. In some embodiments, YF¿3?, LaF¿3?, or rare-earth fluoride is substituted into the SrF¿2? structure.
(FR)L'invention porte sur un germe cristallin de nucléation utilisé pour la croissance épitaxiale d'un monocristal de fluorure de calcium (CaF¿2) contenant du SrF¿2?. Dans certaines variantes, on peut substituer du YF¿3?, du LaF¿3?, ou un fluorure de terres rares dans la structure du SrF¿2?.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)