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1. (WO2002077322) DEPOT AUTOCATALYTIQUE D'UN FILM EN CU-IN-GA-SE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/077322    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/009304
Date de publication : 03.10.2002 Date de dépôt international : 22.03.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    24.10.2002    
CIB :
C23C 18/48 (2006.01), C23C 18/54 (2006.01)
Déposants : MIDWEST RESEARCH INSTITUTE [US/US]; 425 Volker Boulevard, Kansas City, MO 64110 (US) (Tous Sauf US).
BHATTACHARYA, Raghu, Nath [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BHATTACHARYA, Raghu, Nath; (US)
Mandataire : WHITE, Paul, J.; National Renewable Energy Laboratory, 1617 Cole Boulevard, Golden, CO 80401 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) ELECTROLESS DEPOSITION OF CU-IN-GA-SE FILM
(FR) DEPOT AUTOCATALYTIQUE D'UN FILM EN CU-IN-GA-SE
Abrégé : front page image
(EN)A process for depositing copper-indium-gallium-selenide thin films on substrates, including foreign substrates, occurs in a chemical bath that includes a buffer solution and does not require external current as a catalyst. Formation of the chemical bath includes compounds of each of the constituent elements dissolved in deionized water and the addition of pHydrion buffers likewise dissolved. Deposition occurs as a result of the introduction of both a working electrode and a counter electrode. The deposited thin film is further processed through physical vapor deposition of additional indium, gallium, and selenium in order to fine-tune the stoichiometry of the resultant thin film.
(FR)L'invention concerne un procédé de dépôt de films minces en cuivre-indium-gallium-séléniure sur des substrats, notamment des substrats étrangers. Le procédé est réalisé dans un bain chimique qui comprend une solution tampon et ne requiert pas un courant extérieur comme catalyseur. Le bain chimique est constitué des composés de chacun des éléments constitutifs dissous dans de l'eau désionisée, et de l'addition de tampons Ph également dissous. Le dépôt s'effectue après introduction à la fois d'une électrode de travail et d'une contre-électrode. Le film mince déposé est traité de nouveau par métallisation physique sous vide avec un complément d'indium, de gallium et de sélénium permettant d'affiner la stoechiométrie du film mince obtenu.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)