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1. (WO2002077316) PROCEDE DE FORMATION D'UN FILM, PROCEDE DE FABRICATION D'UN REFLECTEUR DE FILM MULTICOUCHE, ET DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/077316    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/001713
Date de publication : 03.10.2002 Date de dépôt international : 26.02.2002
CIB :
C23C 14/04 (2006.01), C23C 14/46 (2006.01), G02B 1/10 (2006.01)
Déposants : NIKON CORPORATION [JP/JP]; 2-3, Marunouchi 3-Chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-8331 (JP) (Tous Sauf US).
KANDAKA, Noriaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KANDAKA, Noriaki; (JP)
Mandataire : WATANABE, Atsushi; PATENT ATTORNEYS "SHINPO", 1-20-10-203, Takadanobaba, Shinjuku-ku, Tokyo 169-0075 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-83094 22.03.2001 JP
2001-83095 22.03.2001 JP
Titre (EN) FILM FORMING METHOD, MULTILAYER FILM REFLECTOR MANUFACTURING METHOD, AND FILM FORMING DEVICE
(FR) PROCEDE DE FORMATION D'UN FILM, PROCEDE DE FABRICATION D'UN REFLECTEUR DE FILM MULTICOUCHE, ET DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM
Abrégé : front page image
(EN)A film forming method and a film forming device capable of providing a specified film thickness distribution in short time, wherein, as shown in Fig.4, a filmed substrate (41) having a rotatingly symmetrical shape is rotated about a rotatingly symmetrical axis in a sufficiently decompressed container (40), a target material (42) is heated or radiated by ion beam in the container (40) to disperse the atoms of the target material (42) so as to stack the dispersed atoms on the substrate (41), a film thickness correction plate (10) for shielding a part of the dispersed atoms is disposed near the substrate (41), and the film thickness correction plate (10) is formed of a fixed correction plate (11) shown in Fig.3 and a shape-variable correction plate (21) shown in Fig.2, whereby the shape of the film thickness correction plate can be varied.
(FR)L'invention concerne un proc�d� de formation de film et un dispositif de formation de film permettant d'obtenir une distribution d'�paisseur de film sp�cifi�e, en un temps tr�s court, et d'obtenir, comme � la figure 4, un substrat film� (41) pr�sentant une forme sym�trique de mani�re rotative, tournant autour d'un axe sym�trique de mani�re rotative, dans un contenant (40) suffisamment d�pressuris�, un mat�riau cible (42) est chauff� ou subit le rayonnement d'un faisceau ionique dans ledit contenant (40) afin de disperser les atomes du mat�riau cible (42), de sorte � empiler leatomes dispers�s sur le substrat (41), une plaque de correction d'�paisseur de film (10) servant de protection contre une partie des atomes dispers�s est positionn�e � proximit� dudit substrat (41), et la plaque de correction d'�paisseur de film (10) est form�e d'une plaque de correction fixe (11) illustr�e par la figure 3, et d'une plaque de correction de forme variable (21) illustr�e par la figure 2, la forme de la plaque de correction d'�paisseur de film pouvant varier.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)