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1. (WO2002076908) ARTICLE A BASE DE NITRURE DE SILICIUM POREUX ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/076908    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/002825
Date de publication : 03.10.2002 Date de dépôt international : 25.03.2002
CIB :
B01D 39/20 (2006.01), B01D 53/22 (2006.01), B01D 71/02 (2006.01), B01J 27/24 (2006.01), B01J 35/04 (2006.01), C04B 38/00 (2006.01)
Déposants : NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku Nagoya-shi, Aichi 467-8530 (JP) (Tous Sauf US).
INOUE, Katsuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MORIMOTO, Kenji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MASUDA, Masaaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAWASAKI, Shinji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAKAI, Hiroaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : INOUE, Katsuhiro; (JP).
MORIMOTO, Kenji; (JP).
MASUDA, Masaaki; (JP).
KAWASAKI, Shinji; (JP).
SAKAI, Hiroaki; (JP)
Mandataire : WATANABE, Kazuhira; 3rd Fl., No.8 Kikuboshi Tower Building, 20-18, Asakusabashi 3-chome Taito-ku, Tokyo 111-0053 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-87912 26.03.2001 JP
Titre (EN) POROUS SILICON NITRIDE ARTICLE AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
(FR) ARTICLE A BASE DE NITRURE DE SILICIUM POREUX ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Abrégé : front page image
(EN)A porous silicon nitride article which is prepared by nitriding a formed article containing metallic silicon as a primary component and subjecting the nitrided article to a heating treatment at a temperature higher than that for the above nitriding reaction, characterized in that the silicon nitride article has a porous structure having an average pore diameter of 3 m or more and comprises at least one element selected from the group consisting of the Group 2A, the Group 3A, the Group 3B including lanthanoids and the Group 4B. The porous silicon nitride article has a porous structure having a large average pore diameter and a specimen from the article exhibits a high thermal conductivity and a low thermal expansion coefficient, and thus the article can be suitably used for parts of a gas and/or solution clarification device such as a ceramic filter.
(FR)L'invention concerne un article à base de nitrure de silicium poreux préparé selon un procédé consistant à soumettre un article formé contenant du silicium métallique comme premier composant à une nitruration, puis à soumettre l'article nitruré à un traitement thermique à une température supérieure à celle utilisée pour ladite réaction de nitruration. Cet article se caractérise en ce qu'il possède une structure poreuse ayant un diamètre de pore moyen d'au moins 3 µm et en ce qu'il comprend au moins un élément sélectionné dans le groupe formé par les groupe 2A, 3A, 3B, y compris les lanthanides et le groupe 4B du tableau périodique. Cet article à base de nitrure de silicium poreux possède une structure poreuse ayant un diamètre de pore moyen important et un échantillon de cet article présente une conductivité thermique élevée et un faible coefficient de dilatation thermique. Par conséquent, cet article peut être utilisé avantageusement dans la fabrication de parties de dispositifs de clarification de gaz et/ou de solutions, tels que des filtres en céramique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)