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1. WO2002067302 - BARRIERES D'OXYGENE RICHES EN RHODIUM

Numéro de publication WO/2002/067302
Date de publication 29.08.2002
N° de la demande internationale PCT/US2002/004090
Date du dépôt international 11.02.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 20.08.2002
CIB
H01L 21/02 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/285 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
283Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
285à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation
CPC
H01L 21/28568
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
283Deposition of conductive or insulating materials for electrodes ; conducting electric current
285from a gas or vapour, e.g. condensation
28506of conductive layers
28512on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System
28568the conductive layers comprising transition metals
H01L 27/108
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
108Dynamic random access memory structures
H01L 28/55
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
28Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
40Capacitors
55with a dielectric comprising a perovskite structure material
H01L 28/75
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
28Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
40Capacitors
60Electrodes
75comprising two or more layers, e.g. comprising a barrier layer and a metal layer
Déposants
  • MICRON TECHNOLOGY, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • YANG, Haining
  • GEALY, Dan
  • SANDHU, Gurtej, S.
  • RHODES, Howard
  • VISOKAY, Mark
Mandataires
  • REISMAN, Joseph, M.
Données relatives à la priorité
09/789,33520.02.2001US
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) RHODIUM-RICH OXYGEN BARRIERS
(FR) BARRIERES D'OXYGENE RICHES EN RHODIUM
Abrégé
(EN) Structures and methods are disclosed for forming capacitors for integrated circuits. The capacitor includes a rhodium-rich structure (24), a rhodium oxide layer (26) in direct contact with the rhodium-rich structure (24), a capacitor dielectric (30) in direct contact with the rhodium oxide layer (26) and a top electrode (40) over the capacitor. The rhodium-rich structure (24) can include rhodium alloys and the capacitor dielectric (30) preferably has a high dielectric constant.
(FR) L'invention concerne des structures et des procédés permettant de former des condensateurs pour circuits intégrés. Le condensateur comporte notamment une structure (24) riche en rhodium, une couche (26) d'oxyde de rhodium en contact direct avec ladite structure (24), un diélectrique (30) de condensateur en contact direct avec la couche (26) d'oxyde de rhodium et une électrode supérieure (40) au-dessus du condensateur. La structure (24) riche en rhodium peut comporter des alliages de rhodium et, de préférence, le diélectrique (30) de condensateur présente une constante diélectrique élevée.
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