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1. WO2002067266 - DE0104893PROCEDE POUR ECRIRE DANS DES CELLULES DE MEMOIRES MAGNETORESISTIVES, ET MEMOIRES MAGNETORESISTIVES DANS LESQUELLES ON PEUT ECRIRE SELON CE PROCEDE

Numéro de publication WO/2002/067266
Date de publication 29.08.2002
N° de la demande internationale PCT/DE2002/000255
Date du dépôt international 24.01.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 13.09.2002
CIB
G11C 11/15 2006.1
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
02utilisant des éléments magnétiques
14utilisant des éléments à pellicules minces
15utilisant des couches magnétiques multiples
G11C 11/16 2006.1
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
02utilisant des éléments magnétiques
16utilisant des éléments dans lesquels l'effet d'emmagasinage est basé sur l'effet de spin
CPC
G11C 11/15
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
14using thin-film elements
15using multiple magnetic layers
G11C 11/1675
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1675Writing or programming circuits or methods
Déposants
  • INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • FREITAG, Martin [DE]/[DE] (UsOnly)
  • MIETHANER, Stefan [DE]/[DE] (UsOnly)
  • RABERG, Wolfgang [DE]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • FREITAG, Martin
  • MIETHANER, Stefan
  • RABERG, Wolfgang
Mandataires
  • KOTTMANN, Dieter
Données relatives à la priorité
101 07 380.116.02.2001DE
Langue de publication Allemand (de)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) VERFAHREN ZUM BESCHREIBEN MAGNETORESISTIVER SPEICHERZELLEN UND MIT DIESEM VERFAHREN BESCHREIBBARER MAGNETORESISTIVER SPEICHER
(EN) METHOD FOR WRITING INTO MAGNETORESISTIVE MEMORY CELLS AND MAGNETORESISTIVE MEMORY WHICH CAN BE WRITTEN INTO ACCORDING TO SAID METHOD
(FR) DE0104893PROCEDE POUR ECRIRE DANS DES CELLULES DE MEMOIRES MAGNETORESISTIVES, ET MEMOIRES MAGNETORESISTIVES DANS LESQUELLES ON PEUT ECRIRE SELON CE PROCEDE
Abrégé
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Beschreiben magnetoresistiver Speicherzellen eines MRAM-Speichers, bei dem Schreibströme (I?WL#191, I?BL#191) jeweils einer Wortleitung (WL) und einer Bitleitung (BL) aufgeschaltet werden, wobei eine Überlagerung der durch die Schreibströme erzeugten Magnetfelder in jeder durch die entsprechende Wort- und Bitleitung selektierten Speicherzelle zur Änderung ihrer Magnetisierungsrichtung führt. Bei dem Verfahren werden die Schreibströme (I?WL#191, I?BL#191) zeitlich gegeneinander versetzt der jeweiligen Wortleitung (WL) und Bitleitung (BL) so aufgeschaltet, dass die Magnetisierungsrichtung der selektierten Speicherzelle in mehreren aufeinanderfolgenden Schritten (a - h) in die zum Schreiben einer logischen '0' oder '1' gewünschte Richtung gedreht wird.
(EN) The invention relates to a method for writing in the magnetoresistive memory cells of a MRAM memory, wherein the write currents (IWL, IBL) are applied respectively onto a word line (WL) and a bit line (BL), a superposition of the magnetic fields generated by the write currents in each memory cell selected by the corresponding word lines and bits lines altering the direction of the magnetisation thereof. According to the inventive method, the write currents (IWL, IBL) are applied in a chronologically offset manner, to the corresponding word line (WL) and the bit line (BL) whereby the direction of magnetisation of the selected memory cell is rotated in several consecutive steps (a - h) in the desired direction for writing a logical '0' or '1'.
(FR) L'invention concerne un procédé pour écrire dans des cellules de mémoires magnétorésistives d'une mémoire MRAM, selon lequel des courants d'écriture (IWL, IBL) sont appliqués respectivement à une ligne de mots (WL) et à une ligne de bits (BL), une superposition des champs magnétiques produits par les courants d'écriture dans chaque cellule de mémoire sélectionnée par la ligne de mots et la ligne de bits correspondantes provoquant une modification de leur sens de magnétisation. Selon ledit procédé, les courants d'écriture (IWL, IBL) sont appliqués à la ligne de mots (WL) et à la ligne de bits (BL) correspondantes avec un décalage temporel mutuel, de telle sorte que le sens de magnétisation de la cellule de mémoire sélectionnée tourne en plusieurs pas (a-h) successifs dans le sens souhaité pour l'écriture d'un '0' ou d'un '1' logiques.
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