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1. WO2002065520 - STRUCTURE A POINTS QUANTIQUES, COMPOSANT A INTERACTION OPTOELECTRONIQUE ET PROCEDE POUR REALISER UNE STRUCTURE A POINTS QUANTIQUES

Numéro de publication WO/2002/065520
Date de publication 22.08.2002
N° de la demande internationale PCT/DE2002/000308
Date du dépôt international 29.01.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 30.07.2002
CIB
H01L 33/06 2010.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
04ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
06au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
H01S 5/34 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
30Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active
34comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p.ex. lasers à puits quantique unique , lasers à plusieurs puits quantiques ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif
CPC
B82Y 20/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
20Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
H01L 33/06
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
04with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
06within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
H01S 5/3412
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
34comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well lasers [SQW-lasers], multiple quantum well lasers [MQW-lasers] or graded index separate confinement heterostructure lasers [GRINSCH-lasers]
341Structures having reduced dimensionality, e.g. quantum wires
3412quantum box or quantum dash
Déposants
  • INFINEON TECHNOLGIES AG [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • STEGMÜLLER, Bernhard [DE]/[DE] (UsOnly)
Inventeurs
  • STEGMÜLLER, Bernhard
Mandataires
  • VIERING, JENTSCHURA & PARTNER
Données relatives à la priorité
101 04 561.101.02.2001DE
Langue de publication Allemand (de)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) QUANTENPUNKT-STRUKTUR, BAUELEMENT MIT OPTOELEKTRONISCHER WECHSELWIRKUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER QUANTENPUNKT-STRUKTUR
(EN) QUANTUM POINT STRUCTURE, OPTOELECTRONIC INTERACTION COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING A QUANTUM POINT STRUCTURE
(FR) STRUCTURE A POINTS QUANTIQUES, COMPOSANT A INTERACTION OPTOELECTRONIQUE ET PROCEDE POUR REALISER UNE STRUCTURE A POINTS QUANTIQUES
Abrégé
(DE) Die Quantenpunkt-Struktur weist auf eine erste Schicht (102) aus einem ersten Material mit einer ersten Gitterkonstante, bei der die erste Schicht (102) eine mit Strukturierungskörpern (103) bedeckte Oberfläche aufweist, und eine über der Oberfläche der ersten Schicht (102) aufgewachsene zweite Schicht aus einem zweiten Material mit einer zweiten Gitterkonstante, die ungleich der ersten Gitterkonstante ist, wobei das erste Material, die Oberfläche, die Strukturierungskörper (103) und das zweite Material derart eingerichtet sind, dass sich aus dem zweiten Material Quantenpunkte (201) gleicher Größe und mit gleichem Abstand zueinander ausbilden.
(EN) The invention relates to a quantum-point structure comprising a first layer (102) made of a first material having a first lattice constant, said surface being covered with structuring bodies (103); also comprising a second layer made of a second material having a second lattice constant which is different from the first, being epitaxially grown on top of the surface of the first layer (102). The first material, surface, structuring bodies (103) and the second material are arranged in such a way that quantum points (201) having the same size and distance from each other are formed from the second material.
(FR) L'invention concerne une structure à points quantiques comprenant une première couche (102) qui est constituée d'un premier matériau possédant une première constante de réseau et qui présente une surface recouverte de corps de structuration (103). Cette structure comprend également une deuxième couche qui est formée par croissance épitaxiale sur la première couche et qui est constituée d'un deuxième matériau possédant une deuxième constante de réseau différente de la première constante de réseau. Le premier matériau, la surface, les corps de structuration (103) et le deuxième matériau sont conçus de sorte que des points quantiques (201) présentant les mêmes dimensions et le même espacement sont formés à partir du deuxième matériau.
Documents de brevet associés
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