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1. WO2002063733 - LASER A SEMI-CONDUCTEUR

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Numéro de publication WO/2002/063733
Date de publication 15.08.2002
N° de la demande internationale PCT/DE2002/000471
Date du dépôt international 08.02.2002
CIB
H01S 5/183 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
10Structure ou forme du résonateur optique
18Lasers à émission de surface
183ayant une cavité verticale
H01S 5/20 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
20Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
CPC
H01S 2301/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
2301Functional characteristics
18Semiconductor lasers with special structural design for influencing the near- or far-field
H01S 5/18308
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
18Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
183having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
18308having a special structure for lateral current or light confinement
H01S 5/18311
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
18Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
183having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
18308having a special structure for lateral current or light confinement
18311using selective oxidation
H01S 5/18333
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
18Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
183having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
18308having a special structure for lateral current or light confinement
18322Position of the structure
1833with more than one structure
18333only above the active layer
H01S 5/2059
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
20Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
2054Methods of obtaining the confinement
2059by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
Déposants
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • MÜLLER, Jürgen [DE]/[DE] (UsOnly)
Inventeurs
  • MÜLLER, Jürgen
Mandataires
  • EPPING HERMANN & FISCHER
Données relatives à la priorité
101 05 722.908.02.2001DE
Langue de publication Allemand (de)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) HALBLEITER-LASER MIT VERTIKALEM RESONATOR
(EN) SEMICONDUCTOR LASER WITH A VERTICAL RESONATOR
(FR) LASER A SEMI-CONDUCTEUR
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Abrégé
(DE) Ein Vcsel weist neben Stromblenden (6) im Randbereich einer Mesa (12) Implantationsgebiete auf, die als modenselektive Gebiete (13) wirksam sind. Dadurch kann die Innenöffnung der Stromblenden (6) größer als beim Stand der Technik gewählt werden. Dies führt zu einem kleinohmschen und thermischen Widerstand und ermöglicht eine hohe Ausgangsleistung.
(EN) The invention relates to a VCSEL (Vertical Cavity Surface-emitting Laser) which comprises, in addition to current shields (6), implantation regions in the marginal area of a mesa, said implantation regions acting as mode-selective regions (13). The inner opening of the current shields (6) can thus be larger than that according to prior art. This leads to low ohmic and thermal resistance and enables a high output.
(FR) Selon l'invention, dans une variante, un laser à semi-conducteur comporte, en plus d'écrans à courant (6), dans la zone marginale d'un mesa (12), des régions d'implantation qui agissent en tant que régions à sélection de mode (13). Ainsi, l'ouverture intérieure des écrans à courant (6) peut être plus grande que celle correspondant à l'état de la technique. Cela a pour résultat une résistance faiblement ohmique et thermique et permet l'obtention d'une puissance de sortie élevée.
Documents de brevet associés
DE000010105722
EP1374356
JP2004518304
US20040032892
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international
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