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1. WO2002063691 - CELLULE DE PIXEL ACTIF AVEC CONDENSATEUR

Numéro de publication WO/2002/063691
Date de publication 15.08.2002
N° de la demande internationale PCT/CA2002/000051
Date du dépôt international 17.01.2002
CIB
H01L 27/146 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
H04N 3/15 2006.1
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
3Détails des dispositifs de balayage des systèmes de télévision; Leur combinaison avec la production des tensions d'alimentation
10par des moyens non exclusivement optiques-mécaniques
14au moyen de dispositifs à semi-conducteurs à balayage électronique
15pour la production des signaux d'image
CPC
H01L 27/14609
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14609Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
H04N 5/3745
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
374Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
3745having additional components embedded within a pixel or connected to a group of pixels within a sensor matrix, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
Déposants
  • SYMAGERY MICROSYSTEMS INC. [CA]/[CA] (AllExceptUS)
  • WITEWSKI, Jaremi [PL]/[PL] (UsOnly)
Inventeurs
  • WITEWSKI, Jaremi
Mandataires
  • RYMEK, Edward
Données relatives à la priorité
60/265,60002.02.2001US
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) ACTIVE PIXEL CELL WITH CHARGE STORAGE
(FR) CELLULE DE PIXEL ACTIF AVEC CONDENSATEUR
Abrégé
(EN) A CMOS four-transistor active pixel cell (APC) for use in an image sensor array is described. It includes an additional PMOS transistor with in a standard three-transistor pixel cell. The PMOS transistor acts as a typical switch to either connect or disconnect the photodiode capacitance and the gate capacitance of the three-transistor pixel cell source follower, and further reduces the photo-current discharging of the gate capacitance during the storage time. This time is dependent on the physical characteristics of the source follower transistor.
(FR) L'invention concerne une cellule de pixel actif (APC) à quatre transistors CMOS à utiliser dans un groupement de capteurs d'images. Cette cellule comporte un transistor PMOS supplémentaire par rapport à une cellule de pixel à trois transistors standard. Ce transistor PMOS agit en tant que commutateur typique pour connecter ou déconnecter la capacité de photodiode et la capacité de porte de la source suiveuse de cellule de pixel à trois transistors puis réduit la décharge de photocourant de la capacité de porte pendant la durée de stockage. Cette durée dépend des caractéristiques physiques du transistor à source suiveuse.
Documents de brevet associés
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