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1. WO2002061825 - ENSEMBLE ELECTRONIQUE A INTERFACE THERMIQUE DE HAUTE CAPACITE ET PROCEDES DE PRODUCTION CORRESPONDANTS

Numéro de publication WO/2002/061825
Date de publication 08.08.2002
N° de la demande internationale PCT/US2001/044650
Date du dépôt international 20.11.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 02.07.2002
CIB
H01L 23/36 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
36Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
H01L 23/373 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
36Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
373Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
CPC
H01L 21/044
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
0405the devices having semiconductor bodies comprising semiconducting carbon, e.g. diamond, diamond-like carbon
0425Making electrodes
044Conductor-insulator-semiconductor electrodes
H01L 21/049
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
0445the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
048Making electrodes
049Conductor-insulator-semiconductor electrodes, e.g. MIS contacts
H01L 21/28264
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
28008Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
28264the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being a III-V compound
H01L 2224/0401
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
0401Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
H01L 2224/04026
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
04026Bonding areas specifically adapted for layer connectors
H01L 2224/16225
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
16of an individual bump connector
161Disposition
16151the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
16221the body and the item being stacked
16225the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
Déposants
  • INTEL CORPORATION [US]/[US] (AllExceptUS)
  • CHRYSLER, Gregory, M. [US]/[US] (UsOnly)
  • WATWE, Abhay, A. [IN]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • CHRYSLER, Gregory, M.
  • WATWE, Abhay, A.
Mandataires
  • VIKSNINS, Ann, S.
Données relatives à la priorité
09/737,11714.12.2000US
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) ELECTRONIC ASSEMBLY WITH HIGH CAPACITY THERMAL INTERFACE AND METHODS OF MANUFACTURE
(FR) ENSEMBLE ELECTRONIQUE A INTERFACE THERMIQUE DE HAUTE CAPACITE ET PROCEDES DE PRODUCTION CORRESPONDANTS
Abrégé
(EN) To accommodate high power densities associated with high performance integrated circuits, an integrated circuit package includes a heat-dissipating structure in which heat is dissipated from a surface of one or more dice (40) to an integrated heat spreader (IHS) through a high capacity thermal interface (110) formed of diamond, a diamond composite, or graphite. In one embodiment, a diamond layer is grown on the IHS lid (122). In another embodiment, a diamond layer is separately formed and affixed to the IHS. Methods of fabrication, as well as application of the package to an electronic assembly and to an electronic system, are also described.
(FR) L'invention vise à proposer des circuits intégrés haute performance ayant des densités de puissance élevées. A cet effet, un module circuit intégré comprend une structure dissipatrice de chaleur qui permet de dissiper la chaleur d'une surface d'au moins un dé jusqu'à un dissipateur thermique intégré (IHS) par une interface thermique de haute capacité constituée de diamant, d'un composite de diamant ou de graphite. Dans un mode de réalisation, une couche de diamant croit sur le dissipateur thermique intégré. Dans un autre mode de réalisation, une couche de diamant est formée séparément et appliquée sur le dissipateur thermique intégré. L'invention concerne également les procédés de production correspondants et l'utilisation du module dans un ensemble électronique et dans un système électronique.
Documents de brevet associés
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