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1. WO2002061816 - PROCEDE DE FABRICATION DE FILM SEMICONDUCTEUR MINCE, PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR, SYSTEME D'EXECUTION DE CES PROCEDES ET DISPOSITIF ELECTRO-OPTIQUE

Numéro de publication WO/2002/061816
Date de publication 08.08.2002
N° de la demande internationale PCT/JP2002/000799
Date du dépôt international 31.01.2002
CIB
H01L 21/20 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H01L 21/336 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
336à grille isolée
H01L 29/786 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786Transistors à couche mince
CPC
H01L 21/02422
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02422Non-crystalline insulating materials, e.g. glass, polymers
H01L 21/02488
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02439Materials
02488Insulating materials
H01L 21/02502
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02494Structure
02496Layer structure
02502consisting of two layers
H01L 21/02532
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02524Group 14 semiconducting materials
02532Silicon, silicon germanium, germanium
H01L 21/02595
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02587Structure
0259Microstructure
02595polycrystalline
H01L 21/0262
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02612Formation types
02617Deposition types
0262Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
Déposants
  • SONY CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • YAMANAKA, Hideo [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • YAMANAKA, Hideo
Mandataires
  • NAKAMURA, Tomoyuki
Données relatives à la priorité
2001-2499901.02.2001JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR FORMING THIN SEMICONDUCTOR FILM, METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE, SYSTEM FOR EXECUTING THESE METHODS AND ELECTROOPTIC DEVICE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE FILM SEMICONDUCTEUR MINCE, PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR, SYSTEME D'EXECUTION DE CES PROCEDES ET DISPOSITIF ELECTRO-OPTIQUE
Abrégé
(EN) A method for forming a large-area polycrystalline or single crystal semiconductor thin film such as a high quality, polycrystalline silicon at a high crystallinity and a system for executing that method. When a polycrystalline (single crystal) semiconductor thin film (7), e.g. a polycrystalline silicon film of large particle size, is formed on a basic body (1) at a high crystallinity, or when a semiconductor device having a polycrystalline (single crystal) semiconductor thin film (7) is formed on a basic body (1), a low class semiconductor thin film (7A) is formed on a basic body (1) and then subjected to near-ultraviolet (UV) and/or far-ultraviolet (DUV) laser annealing in order to accelerate crystallization of the low class semiconductor thin film (7A) through heating and cooling under fused or semi-fused or nonfused state thus producing a polycrystalline (single crystalline) semiconductor thin film (7), whereby providing a method for forming a polycrystalline (single crystal) semiconductor thin film or a method for fabricating a semiconductor device, and a system for executing these methods.
(FR) L'invention concerne un procédé de formation d'un film semiconducteur monocristallin ou polycristallin de grande superficie, tel qu'un silicium polycristallin de grande qualité possédant un degré élevé de cristallinité, ainsi qu'un système de mise en oeuvre de ce procédé. Lorsqu'un film semiconducteur mince polycristallin (monocristallin) (7), par exemple, un film de silicium polycristallin à particules de grande taille, est formé sur une structure de base (1) possédant un degré élevé de cristallinité, ou lorsqu'un dispositif à semiconducteur présentant un film semiconducteur mince polycristallin (monocristallin) (7) est formé sur une structure de base (1), un film semi-conducteur (7A) mince de classe inférieure est alors formé sur une structure de base (1) puis soumis à un recuit par laser à ultraviolet proche (UV) et/ou à ultraviolet lointain (DUV) pour accélérer la cristallisation du film semiconducteur mince (7A) de classe inférieure par chauffage et refroidissement dans un état de fusion, de semi-fusion ou de non fusion, ce qui permet d'obtenir un film semiconducteur mince polycristallin (monocristallin) (7A). L'invention concerne par ailleurs un procédé de formation d'un film semiconducteur mince polycristallin (monocristallin), ou un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur et un système de mise en oeuvre de ces procédés.
Documents de brevet associés
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