WO2002061816 PROCEDE DE FABRICATION DE FILM SEMICONDUCTEUR MINCE, PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR, SYSTEME D'EXECUTION DE CES PROCEDES ET DISPOSITIF ELECTRO-OPTIQUE

Commentaires

Paramétrages

Stemming/racinisation

Membre de famille unique

Inclure la LNB

Commentaires

Aller à Demande

Numéro de publication WO/2002/061816

Date de publication 08.08.2002

N° de la demande internationale PCT/JP2002/000799

Date du dépôt international 31.01.2002

CIB

Voir moins de classifications

CPC

Voir plus de classifications

Voir moins de classifications

Déposants

SONY CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
YAMANAKA, Hideo [JP]/[JP] (UsOnly)

Inventeurs

YAMANAKA, Hideo

Mandataires

NAKAMURA, Tomoyuki

Données relatives à la priorité

2001-24999

01.02.2001

Langue de publication Japonais (ja)

Langue de dépôt japonais (JA)

États désignés

Voir tout

Titre

(EN) METHOD FOR FORMING THIN SEMICONDUCTOR FILM, METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE, SYSTEM FOR EXECUTING THESE METHODS AND ELECTROOPTIC DEVICE

(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE FILM SEMICONDUCTEUR MINCE, PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR, SYSTEME D'EXECUTION DE CES PROCEDES ET DISPOSITIF ELECTRO-OPTIQUE

Abrégé

(EN) A method for forming a large-area polycrystalline or single crystal semiconductor thin film such as a high quality, polycrystalline silicon at a high crystallinity and a system for executing that method. When a polycrystalline (single crystal) semiconductor thin film (7), e.g. a polycrystalline silicon film of large particle size, is formed on a basic body (1) at a high crystallinity, or when a semiconductor device having a polycrystalline (single crystal) semiconductor thin film (7) is formed on a basic body (1), a low class semiconductor thin film (7A) is formed on a basic body (1) and then subjected to near-ultraviolet (UV) and/or far-ultraviolet (DUV) laser annealing in order to accelerate crystallization of the low class semiconductor thin film (7A) through heating and cooling under fused or semi-fused or nonfused state thus producing a polycrystalline (single crystalline) semiconductor thin film (7), whereby providing a method for forming a polycrystalline (single crystal) semiconductor thin film or a method for fabricating a semiconductor device, and a system for executing these methods.

(FR) L'invention concerne un procédé de formation d'un film semiconducteur monocristallin ou polycristallin de grande superficie, tel qu'un silicium polycristallin de grande qualité possédant un degré élevé de cristallinité, ainsi qu'un système de mise en oeuvre de ce procédé. Lorsqu'un film semiconducteur mince polycristallin (monocristallin) (7), par exemple, un film de silicium polycristallin à particules de grande taille, est formé sur une structure de base (1) possédant un degré élevé de cristallinité, ou lorsqu'un dispositif à semiconducteur présentant un film semiconducteur mince polycristallin (monocristallin) (7) est formé sur une structure de base (1), un film semi-conducteur (7A) mince de classe inférieure est alors formé sur une structure de base (1) puis soumis à un recuit par laser à ultraviolet proche (UV) et/ou à ultraviolet lointain (DUV) pour accélérer la cristallisation du film semiconducteur mince (7A) de classe inférieure par chauffage et refroidissement dans un état de fusion, de semi-fusion ou de non fusion, ce qui permet d'obtenir un film semiconducteur mince polycristallin (monocristallin) (7A). L'invention concerne par ailleurs un procédé de formation d'un film semiconducteur mince polycristallin (monocristallin), ou un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur et un système de mise en oeuvre de ces procédés.

Documents de brevet associés

JP2002231628

US20030148565

Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

H	ÉLECTRICITÉ
01	ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L	DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21	Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02	Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04	les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18	les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés A_IIIB_V, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20	Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale

H	ÉLECTRICITÉ
01	ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L	DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21	Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02	Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04	les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18	les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés A_IIIB_V, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334	Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335	Transistors à effet de champ
336	à grille isolée

H	ÉLECTRICITÉ
01	ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L	DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29	Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66	Types de dispositifs semi-conducteurs
68	commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76	Dispositifs unipolaires
772	Transistors à effet de champ
78	l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786	Transistors à couche mince

H	ÉLECTRICITÉ
01	ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L	DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21	Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02	Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04	les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18	les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés A_IIIB_V, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20	Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale

H	ÉLECTRICITÉ
01	ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L	DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21	Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02	Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04	les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18	les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés A_IIIB_V, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334	Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335	Transistors à effet de champ
336	à grille isolée

Traitement en cours

Entrées en phase nationale

Fichier d'autorité

Paramétrages

Commentaires

Aller à Demande

1. WO2002061816 - PROCEDE DE FABRICATION DE FILM SEMICONDUCTEUR MINCE, PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR, SYSTEME D'EXECUTION DE CES PROCEDES ET DISPOSITIF ELECTRO-OPTIQUE

H	ELECTRICITY
01	BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L	SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21	Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02	Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104	Forming layers
02365	Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367	Substrates
0237	Materials
02422	Non-crystalline insulating materials, e.g. glass, polymers

Y	SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02	TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
E	REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10	Energy generation through renewable energy sources
50	Photovoltaic [PV] energy
546	Polycrystalline silicon PV cells

H	ELECTRICITY
01	BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L	SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27	Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02	including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12	the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214	comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
1259	Multistep manufacturing methods
127	with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
1274	using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor
1285	using control of the annealing or irradiation parameters, e.g. using different scanning direction or intensity for different transistors

H	ELECTRICITY
01	BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L	SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29	Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66	Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007	Multistep manufacturing processes
66075	of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
66227	the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
66409	Unipolar field-effect transistors
66477	with an insulated gate, i.e. MISFET
66742	Thin film unipolar transistors
6675	Amorphous silicon or polysilicon transistors
66757	Lateral single gate single channel transistors with non-inverted structure, i.e. the channel layer is formed before the gate

H	ELECTRICITY
01	BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L	SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29	Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66	Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007	Multistep manufacturing processes
66075	of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
66227	the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
66409	Unipolar field-effect transistors
66477	with an insulated gate, i.e. MISFET
66742	Thin film unipolar transistors
6675	Amorphous silicon or polysilicon transistors
66765	Lateral single gate single channel transistors with inverted structure, i.e. the channel layer is formed after the gate

H	ELECTRICITY
01	BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L	SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29	Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66	Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68	controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76	Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772	Field effect transistors
78	with field effect produced by an insulated gate
786	Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
78645	with multiple gate
78648	arranged on opposing sides of the channel