(EN) A method for forming a large-area polycrystalline or single crystal semiconductor thin film such as a high quality, polycrystalline silicon at a high crystallinity and a system for executing that method. When a polycrystalline (single crystal) semiconductor thin film (7), e.g. a polycrystalline silicon film of large particle size, is formed on a basic body (1) at a high crystallinity, or when a semiconductor device having a polycrystalline (single crystal) semiconductor thin film (7) is formed on a basic body (1), a low class semiconductor thin film (7A) is formed on a basic body (1) and then subjected to near-ultraviolet (UV) and/or far-ultraviolet (DUV) laser annealing in order to accelerate crystallization of the low class semiconductor thin film (7A) through heating and cooling under fused or semi-fused or nonfused state thus producing a polycrystalline (single crystalline) semiconductor thin film (7), whereby providing a method for forming a polycrystalline (single crystal) semiconductor thin film or a method for fabricating a semiconductor device, and a system for executing these methods.
(FR) L'invention concerne un procédé de formation d'un film semiconducteur monocristallin ou polycristallin de grande superficie, tel qu'un silicium polycristallin de grande qualité possédant un degré élevé de cristallinité, ainsi qu'un système de mise en oeuvre de ce procédé. Lorsqu'un film semiconducteur mince polycristallin (monocristallin) (7), par exemple, un film de silicium polycristallin à particules de grande taille, est formé sur une structure de base (1) possédant un degré élevé de cristallinité, ou lorsqu'un dispositif à semiconducteur présentant un film semiconducteur mince polycristallin (monocristallin) (7) est formé sur une structure de base (1), un film semi-conducteur (7A) mince de classe inférieure est alors formé sur une structure de base (1) puis soumis à un recuit par laser à ultraviolet proche (UV) et/ou à ultraviolet lointain (DUV) pour accélérer la cristallisation du film semiconducteur mince (7A) de classe inférieure par chauffage et refroidissement dans un état de fusion, de semi-fusion ou de non fusion, ce qui permet d'obtenir un film semiconducteur mince polycristallin (monocristallin) (7A). L'invention concerne par ailleurs un procédé de formation d'un film semiconducteur mince polycristallin (monocristallin), ou un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur et un système de mise en oeuvre de ces procédés.