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1. WO2002059972 - DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2002/059972
Date de publication 01.08.2002
N° de la demande internationale PCT/JP2002/000249
Date du dépôt international 16.01.2002
CIB
H01L 21/8238 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232Technologie à effet de champ
8234Technologie MIS
8238Transistors à effet de champ complémentaires, p.ex. CMOS
H01L 27/092 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
08comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type
085comprenant uniquement des composants à effet de champ
088les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
092Transistors à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur complémentaires
CPC
H01L 21/8238
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
8232Field-effect technology
8234MIS technology ; , i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
8238Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS
H01L 21/823892
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
8232Field-effect technology
8234MIS technology ; , i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
8238Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS
823892with a particular manufacturing method of the wells or tubs, e.g. twin tubs, high energy well implants, buried implanted layers for lateral isolation [BILLI]
H01L 27/0928
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
08including only semiconductor components of a single kind
085including field-effect components only
088the components being field-effect transistors with insulated gate
092complementary MIS field-effect transistors
0928comprising both N- and P- wells in the substrate, e.g. twin-tub
Déposants
  • SONY CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • IMOTO, Tsutomu [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • IMOTO, Tsutomu
Mandataires
  • MATSUKUMA, Hidemori
Données relatives à la priorité
2001-1498723.01.2001JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé
(EN) A semiconductor device having a complementary logic gate including a field effect transistor (101) with a first conductivity type channel, a first conductivity type well region (202) formed in a semiconductor substrate (102), a second conductivity type channel layer (203) formed in its skin layer, a first wiring (112) connecting one end (204) of the second conductivity type channel layer (203) to a first conductivity type drain region (106), a second wiring (208) connecting the other end (205) of the second conductivity type channel layer (203) to a first power source, and a third wiring (208) connecting the well region (202) to a second power source having the same polarity as ht of the first power source, wherein a threshold voltage is easy to control at a low power consumption to avoid an increase in the number of manufacturing steps.
(FR) L'invention concerne un dispositif semi-conducteur doté d'une grille logique complémentaire comprenant un transistor à effet de champ (101) à canal de premier type de conductivité, une région de puits de premier type de conductivité (202) formée dans un substrat semi-conducteur (102), une couche de canal de second type de conductivité (203) formée dans sa couche superficielle, un premier câblage (112) reliant une extrémité (204) de la couche de canal de second type de conductivité (203) à une région drain de premier type de conductivité (106), un deuxième câblage (208) reliant l'autre extrémité (205) de la couche de canal du second type de conductivité (203) à une première source d'énergie, et un troisième câblage (208) reliant la région de puits (202) à une seconde source d'énergie ayant la même polarité que celle de la première source d'énergie, une tension seuil étant facile à réguler à faible consommation d'énergie pour éviter une augmentation du nombre d'étapes de fabrication.
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