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1. WO2002059399 - FOUR A CHAMP MAGNETIQUE ET SON MODE D'UTILISATION POUR FABRIQUER DES SUBSTRATS DE SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2002/059399
Date de publication 01.08.2002
N° de la demande internationale PCT/US2001/050541
Date du dépôt international 28.12.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 26.07.2002
CIB
C30B 15/00 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
C30B 15/30 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
30Mécanismes pour faire tourner ou pour déplacer soit le bain fondu, soit le cristal
CPC
C30B 15/007
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
007Pulling on a substrate
C30B 15/206
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
20Controlling or regulating
206the thermal history of growing the ingot
C30B 15/305
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
30Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
305Stirring of the melt
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
Y10T 117/10
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
117Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
10Apparatus
Y10T 117/1068
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
117Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
10Apparatus
1024for crystallization from liquid or supercritical state
1032Seed pulling
1068including heating or cooling details [e.g., shield configuration]
Déposants
  • EBARA SOLAR, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • GLAVISH, Hilton, F.
  • ISOZAKI, Hideyuki
  • MAISHIGI. Keiji
  • FUJITA, Kentaro
Mandataires
  • SOCKOL, Marc, A.
Données relatives à la priorité
09/750,93529.12.2000US
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) MAGNETIC FIELD FURNACE AND A METHOD OF USING THE SAME TO MANUFACTURE SEMICONDUCTOR SUBSTRATES
(FR) FOUR A CHAMP MAGNETIQUE ET SON MODE D'UTILISATION POUR FABRIQUER DES SUBSTRATS DE SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé
(EN) An apparatus and method is provided for manufacturing a semiconductor substrate such as web crystals. The apparatus includes a chamber.and a growth hardware assembly housed within the chamber.A magnetic field system produces a vertical magnetic field within the chamber.
(FR) L'invention concerne un appareil et un procédé pour fabriquer un substrat de semi-conducteur, tel que des cristaux de type web. L'appareil comporte une chambre, dans laquelle est logé un ensemble de matériel de croissance. Un système de champ magnétique produit un champ magnétique vertical à l'intérieur de la chambre.
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