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1. (WO2002051222) SUBSTRAT PLAN PARALLELE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/051222    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/044788
Date de publication : 27.06.2002 Date de dépôt international : 15.11.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.07.2002    
CIB :
H01L 23/498 (2006.01), H05K 3/40 (2006.01), H05K 3/46 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, CA 95052 (US) (Tous Sauf US).
SANKMAN, Robert [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SANKMAN, Robert; (US)
Mandataire : MALLIE, Michael, J.; Blakely Sokoloff Taylor & Zafman 12400 Wilshire Boulevard Los Angeles, CA 90025 (US)
Données relatives à la priorité :
09/741,206 19.12.2000 US
Titre (EN) PARALLEL PLANE SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT PLAN PARALLELE
Abrégé : front page image
(EN)A microelectronic substrate (110) having a plurality of alternating substantially planar layers of dielectric material (102) and conductive material (104), and further having a first surface (116) and a second surface (130), wherein the dielectric material (102) and the conductive material (104) layers extend substantially perpendicularly between the first and second surfaces (116, 130).
(FR)L'invention concerne un substrat microélectronique comportant une pluralité de couches alternées sensiblement planes de matériau diélectrique et de matériau conducteur, et comportant également une première surface et une deuxième surface, les couches de matériau diélectrique et de matériau conducteur s'étendant sensiblement perpendiculairement entre la première et la deuxième surface.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)