WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2002051129) DISPOSITIF DE DETECTION D'IMAGE A PROTECTION CONTRE LE DEPASSEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/051129    N° de la demande internationale :    PCT/EP2001/014999
Date de publication : 27.06.2002 Date de dépôt international : 18.12.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.07.2002    
CIB :
H04N 5/359 (2011.01), H04N 5/374 (2011.01)
Déposants : STMICROELECTRONICS N.V. [NL/NL]; WTC Schiphol Airport Schiphol Boulevaard 265 1118 BH Schiphol Airport Amsterdam (NL) (Tous Sauf US).
BENTHIEN, Stephan [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : BENTHIEN, Stephan; (DE)
Mandataire : LIPPERT, STACHOW, SCHMIDT & PARTNER; Patent Attorneys Krenkelstrasse 3 01309 Dresden (DE)
Données relatives à la priorité :
100 63 839.2 21.12.2000 DE
Titre (DE) BILDSENSOREINRICHTUNG MIT ÜBERLAUFSCHUTZ
(EN) IMAGE SENSOR DEVICE COMPRISING PROTECTION AGAINST OVERFLOW
(FR) DISPOSITIF DE DETECTION D'IMAGE A PROTECTION CONTRE LE DEPASSEMENT
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft eine Bildsensoreinrichtung bestehend aus einem insbesondere in CMOS-Technologie ausgebildeten Substrat mit einer integrierten Halbleiterstruktur (ASIC) und einer darauf angeordneten optisch aktiven Dünnschichtstruktur bestehend jeweils aus mindestens einer Schicht aus dotiertem und undotiertem amorphen Silizium, wobei in der Horizontalebene jeweils räumlich benachbarte Bildelemente (Pixel) ausgebildet sind, die jeweils einen optoelekronischen Wandler zum Umwandeln von einfallendem Licht in einer der einfallenden Lichtmenge proportionalen elektrischen Strom sowie einen dem optoeletronischen Wandler zugeordneten Ladungsspeocher aufweisen, dessen Ladungszustand in Abhängigkeit von dem auf den zugeordneten optoelekronischen Wandler einfallenden Licht variierbar ist. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Bildverfälschung im einzelnen Pixel infolge eines Übergangs des optoelektronischen Wandlers aus dem Sperrzustand zu vermeiden, welche erfindungsgemäss dadurch gelöst wird, dass dem Ladungsspeicher erste und zweite Begrenzungsmittel zur Definition jeweils eines oberen und eines unteren Ladungsgrenzwertes zugeordnet sind.
(EN)The invention relates to an image sensor device consisting of a substrate which is especially developed using CMOS technology, and has an integrated semiconductor structure (ASIC) and an optically active thin layer structure which is arranged on the same and consists respectively of at least one layer of doped and undoped amorphous silicon. In the horizontal plane, spatially adjacent image elements (pixels) are respectively formed, said image elements respectively comprising an optoelectronic converter for converting incident light into an electrical current which is proportional to the incident light quantity, in addition to a charge-coupled memory which is associated with the optoelectronic converter. The charge state of said charge-coupled memory can be varied according to the incident light on the associated optoelectronic converter. The aim of the invention is to avoid image distortion in an individual pixel due to a transition of the optoelectronic converter from a blocked state. To this end, first and second dividing means are associated with the charge-coupled memory in order to respectively define an upper and a lower charge limiting value.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de détection d'image comprenant un substrat constitué par technique CMOS et ayant une structure de semi-conducteur intégrée (ASIC) recouverte d'une structure en couche mince active d'un point de vue optique et constituée respectivement d'au moins une couche de silicium amorphe dopé ou non. Selon l'invention, dans le plan horizontal sont formés respectivement des éléments d'image (pixels) voisins dans l'espace et présentant respectivement un convertisseur optoélectronique servant à convertir une lumière incidente en un courant électrique proportionnel à la quantité de lumière incidente, ainsi qu'un accumulateur de charges associé au convertisseur optoélectronique, dont l'état de charge peut varier en fonction de la lumière qui frappe le convertisseur optoélectronique associé. L'invention a pour objet d'éviter l'altération d'image dans un pixel individuel résultant d'une transition du convertisseur optoélectronique depuis un état bloqué. A cet effet, à l'accumulateur de charges sont associés des premiers et seconds éléments de séparation servant à définir respectivement une valeur limite de charge supérieure et inférieure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)