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1. (WO2002050921) COMPOSANT OPTOELECTRONIQUE POUR CONVERTIR UN RAYONNEMENT ELECTROMAGNETIQUE EN UN COURANT PHOTOELECTRIQUE DEPENDANT DE L'INTENSITE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/050921    N° de la demande internationale :    PCT/EP2001/015083
Date de publication : 27.06.2002 Date de dépôt international : 19.12.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.07.2002    
CIB :
H01L 27/146 (2006.01), H01L 31/0368 (2006.01), H01L 31/0376 (2006.01), H01L 31/108 (2006.01)
Déposants : STMICROELECTRONICS N.V. [NL/NL]; WTC Schiphol Airport, Schiphol Boulevaard 265, 1118 BH Schiphol Airport, Amsterdam (NL) (Tous Sauf US).
RIEVE, Peter [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SEIBEL, Konstantin [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
WAGNER, Michael [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
PRIMA, Jens [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
WALDER, Marcus [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : RIEVE, Peter; (DE).
SEIBEL, Konstantin; (DE).
WAGNER, Michael; (DE).
PRIMA, Jens; (DE).
WALDER, Marcus; (DE)
Mandataire : LIPPERT, H.-J.; Krenkelstrasse 3, 01309 Dresden (DE)
Données relatives à la priorité :
100 63 837.6 21.12.2000 DE
Titre (DE) OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT ZUR UMWANDLUNG ELEKTROMAGNETISCHER STRAHLUNG IN EINEN INTENSITÄTSABHÄNGIGEN FOTOSTROM
(EN) OPTOELECTRONIC COMPONENT FOR CONVERSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION INTO AN INTENSITY-DEPENDENT PHOTOCURRENT
(FR) COMPOSANT OPTOELECTRONIQUE POUR CONVERTIR UN RAYONNEMENT ELECTROMAGNETIQUE EN UN COURANT PHOTOELECTRIQUE DEPENDANT DE L'INTENSITE
Abrégé : front page image
(DE)Optoelektronisches Bauelement zur Umwandlung elektromagnetischer Strahlung in einen intensitätsabhängigen Fotostrom, bestehend aus einem insbesondere in CMOS-Technologie ausgebildeten Substrat (1) mit einer integrierten Halbleiterstruktur (ASIC) und einer in Lichteinfallrichtung vorgeordneten optisch aktiven Dünnschichtstruktur (7, 8, 9), bestehend jeweils aus mindestens einer Schicht aus dotiertem (8) und mindestens einer Schicht aus undotiertem (7) Halbleitermaterial, welche über eine isolierende Schicht (4), innerhalb der sich Verbindungsmittel (2, 3) zur Kontaktierung der optisch aktiven Dünnschichtstruktur (7, 8, 9) mit der Halbleiterstruktur befinden, mit auf dem Substrat (1) angeordneten mikroelektronischen Schaltungen verbunden ist. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein optoelektronisches Bauelement bzw. ein Verfahren zu seiner Herstellung zu schaffen, welches einerseits einfacher herstellbar ist, und zum anderen einen herabgesetzten Dunkelstrom aufweist. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass die optisch aktive Dünnschichtstruktur eine Schichtenfolge aus einem Metall (5) und einem eigenleitenden amorphen oder mikrokristallinen Halbleitermaterial, insbesondere Silizium (7) und dessen Legierungen, aufweist, welche unmittelbar auf die planarisierte isolierende Schicht (4) aufgebracht ist.
(EN)The invention relates to an optoelectronic component for conversion of electromagnetic radiation into an intensity-dependent photocurrent, comprising a substrate (1), in particular produced with CMOS technology, with an integrated semiconductor structure (ASIC) and an optically active thin layer structure (7, 8, 9), arranged in the direction of incident light, comprising at least one layer of doped (8) and at least one layer of undoped (7) semiconductor material, connected to microelectronic circuits arranged in the substrate (1), by means of an insulating layer (4), within which connecting means (2, 3) for connection of the optically active thin layer structure with the semiconductor structure are located. The aim of the invention is an optoelectronic component or a method for production thereof, which on the one hand is simpler to construct and on the other hand comprises a reduced dark current. According to the invention, said aim is achieved, whereby the optically active thin layer structure comprises a layer sequence of a metal (5) and an intrinsically amorphous or microcrystalline semiconductor material, in particular silicon (7) and alloys thereof, directly applied to the planarised insulating layer (4).
(FR)L'invention concerne un composant optoélectronique permettant de convertir un rayonnement électromagnétique en un courant photoélectrique dépendant de l'intensité. Ce composant comprend un substrat (1), en particulier produit d'après la technologie CMOS, avec une structure semi-conductrice intégrée (ASIC) et une structure en couches minces optiquement active (7, 8, 9), placée en amont dans le sens d'incidence de la lumière, constituée d'au moins une couche de matière semi-conductrice dopée (8) et d'au moins une couche de matière semi-conductrice non dopée (7) reliée à des circuits microélectroniques placés sur le substrat (1) par l'intermédiaire d'une couche isolante (4) dans laquelle se trouvent des moyens de liaison (2, 3) pour mettre en contact la structure en couches minces optiquement active (7, 8, 9) avec la structure semi-conductrice. L'objectif de l'invention est de créer un composant optoélectronique de ce type, et son procédé de production, de sorte que sa production soit simplifiée et qu'il présente par ailleurs un courant d'obscurité réduit. A cet effet, la structure en couches minces optiquement active comprend selon l'invention une série de couches constituées d'un métal (5) et d'une matière semi-conductrice intrinsèquement amorphe ou microcristalline, en particulier du silicium (7) et des alliages de celui-ci, cette série de couches étant appliquée directement sur la couche isolante (4) planarisée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)