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1. (WO2002050916) COMMUTATEUR STATIQUE BIDIRECTIONNEL SENSIBLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/050916    N° de la demande internationale :    PCT/FR2001/004138
Date de publication : 27.06.2002 Date de dépôt international : 20.12.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    12.07.2002    
CIB :
H01L 29/747 (2006.01)
Déposants : STMicroelectronics S.A. [FR/FR]; 29, Boulevard Romain Rolland, F-92120 Montrouge (FR) (Tous Sauf US).
SIMONNET, Jean-Michel [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : SIMONNET, Jean-Michel; (FR)
Mandataire : MICHEL DE BEAUMONT; Cabinet Michel de Beaumont, 1, rue Champollion, F-38000 Grenoble (FR)
Données relatives à la priorité :
00/16835 21.12.2000 FR
Titre (EN) SENSITIVE BIDIRECTIONAL STATIC SWITCH
(FR) COMMUTATEUR STATIQUE BIDIRECTIONNEL SENSIBLE
Abrégé : front page image
(EN)The invention concerns a birectional switch formed in a N-type semiconductor substrate (1), comprising a first main vertical thyristor (Th1) whereof the rear face layer (2) is of P-type conductivity, a second main vertical thyristor (Th2) whereof the rear face layer (6) is N-type, a P-type peripheral region (7) extending from the front face to the rear face, a first metallization (M1) covering the rear face, a second metallization (M2) on the front face side connecting the front face layers of the first and second thyristor, and a N-type gate region (27) in part of the upper surface of the peripheral region.
(FR)L'invention concerne un commutateur bidirectionnel formé dans un substrat semiconducteur (1) de type N, comprenant un premier thyristor vertical principal (Th1) dont la couche de face arrière (2) est de type de conductivité P, un deuxième thyristor vertical principal (Th2) dont la couche de face arrière (6) est de type N, une région périphérique (7) de type P s'étendant de la face avant à la face arrière, une première métallisation (M1) recouvrant la face arrière, une deuxième métallisation (M2) du côté de la face avant reliant les couches de face avant des premier et deuxième thyristor, et une région de gâchette (27) de type N dans une partie de la surface supérieure de la région périphérique.
États désignés : CN, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)