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1. (WO2002050914) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/050914    N° de la demande internationale :    PCT/IB2001/002493
Date de publication : 27.06.2002 Date de dépôt international : 17.12.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    13.06.2002    
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/761 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01)
Déposants : EUROPEAN ORGANIZATION FOR NUCLEAR RESEARCH [CH/CH]; CH-1211 Geneve 23 (CH) (Tous Sauf US).
SNOEYS, Walter, Jan, Maria [BE/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : SNOEYS, Walter, Jan, Maria; (FR)
Mandataire : REEVE, Anna, Elizabeth; Kilburn & Strode, 20 Red Lion Street, London WC1R 4PJ (GB)
Données relatives à la priorité :
0031344.5 21.12.2000 GB
Titre (EN) A SEMICONDUCTOR DEVICE WITH BIAS CONTACT
(FR) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device (30) having a bias contact (32) deposited on a substrate, the bias contact (32) having an active portion (14) and an edge portion (46), the work functions of the active portion (44) and the edge portion (46) being different and such thatover a biasing voltage range, a region under the active portion (44) is switched on and a region under the edge portion (46) is switched off.
(FR)L'invention concerne un dispositif semiconducteur (30), présentant un contact de polarisation (32), déposé sur un substrat. Ce contact de polarisation (32) comporte une partie active (14) et une partie d'extrémité (46), le travail d'extraction de la partie active (44) et de la partie d'extrémité (46) étant différent et tel que, sur une échelle de tension de polarisation, une zone sous la partie active (44) est allumée et une zone sous la partie d'extrémité (46) est éteinte.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)