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1. (WO2002050908) REGLAGE DE LONGUEUR DE PORTE EN CONCEPTION DE PUCE SEMI-CONDUCTRICE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/050908    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/047243
Date de publication : 27.06.2002 Date de dépôt international : 05.12.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    11.07.2002    
CIB :
H01L 23/482 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01)
Déposants : HONEYWELL INTERNATIONAL INC. [US/US]; 101 Columbia Road, Morristown, NJ 07962-2245 (US)
Inventeurs : YUE, Cheisan, J.; (US).
HANDELAND, Todd, N.; (US).
VOGT, Eric, E.; (US)
Mandataire : CRISS, Roger, H.; Honeywell International Inc., 101 Columbia Road, Morristown, NJ 07962-2245 (US)
Données relatives à la priorité :
09/745,239 20.12.2000 US
Titre (EN) GATE LENGTH CONTROL FOR SEMICONDUCTOR CHIP DESIGN
(FR) REGLAGE DE LONGUEUR DE PORTE EN CONCEPTION DE PUCE SEMI-CONDUCTRICE
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device includes first and second polysilicon areas on a chip. The first polysilicon area corresponds to circuit elements of the semiconductor device. At least some of the first polysilicon corresponds to polysilicon gates. At least some of the second polysilicon area comprises contacts of the semiconductor device. Metal covers the polysilicon contacts.
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur comprenant des première et seconde zones de silicium polycristallin sur une puce. La première zone de silicium polycristallin correspond aux éléments de circuit du dispositif semi-conducteur. Une partie au moins de la première zone de silicium polycristallin correspond à des portes de silicium polycristallin. Au moins une partie de la seconde zone de silicium polycristallin comprend des contacts du dispositif semi-conducteur. Du métal recouvre les contacts de silicium polycristallin.
États désignés : CA, JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)