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1. (WO2002050898) DISPOSITIF A CIRCUIT INTEGRE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/050898    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/011039
Date de publication : 27.06.2002 Date de dépôt international : 17.12.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    17.12.2001    
CIB :
H01L 21/60 (2006.01), H01L 23/485 (2006.01), H01L 23/528 (2006.01)
Déposants : HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6, Kanda Surugadai 4-chome Chiyoda-ku, Tokyo 101-8010 (JP) (Tous Sauf US).
HITACHI ULSI SYSTEMS CO., LTD. [JP/JP]; 22-1, Josuihoncho 5-chome Kodaira-shi, Tokyo 187-8522 (JP) (Tous Sauf US).
SHINOZAKI, Masao [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NISHIMOTO, Kenji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
AKIOKA, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOHARA, Yutaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUGITA, Sanae [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIYATA, Shusaku [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAZATO, Shinji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SHINOZAKI, Masao; (JP).
NISHIMOTO, Kenji; (JP).
AKIOKA, Takashi; (JP).
KOHARA, Yutaka; (JP).
SUGITA, Sanae; (JP).
MIYATA, Shusaku; (JP).
NAKAZATO, Shinji; (JP)
Mandataire : TOKUWAKA, Kousei; 16-8, Inokashira 5-chome Mitaka-shi, Tokyo 181-0001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-383728 18.12.2000 JP
2001-161630 30.05.2001 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE
(FR) DISPOSITIF A CIRCUIT INTEGRE SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)Circuit elements constituting a circuit, a wiring, and a first electrode electrically connected to the circuit are provided on a major surface of a semiconductor substrate. An organic insulating film is formed on the circuit except the opening made in the surface of the first electrode. First and second external connection electrodes are provided on the organic insulating film. A conductive layer for connection between the first and second external connection electrodes and the first electrode is deposited on the organic insulating film.
(FR)Selon l'invention, des éléments de circuit constituant un circuit, un câblage et une première électrode électriquement connectée à ce circuit sont agencés sur une surface principale d'un substrat semi-conducteur. Un film isolant organique est formé sur toute l'étendue du circuit, à l'exception d'une ouverture ménagée à la surface de la première électrode. Une première et une seconde électrode de connexion externe sont disposées sur ce film isolant organique. Une couche conductrice permettant une connexion entre cette première et cette seconde électrode de connexion externe et la première électrode est déposée sur le film isolant organique.
États désignés : CN, JP, KR, SG, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)