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1. (WO2002050885) PROCEDE DE GRAVAGE POUR FILM ISOLANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/050885    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/010932
Date de publication : 27.06.2002 Date de dépôt international : 13.12.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    29.05.2002    
CIB :
H01L 21/3105 (2006.01), H01L 21/311 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (Tous Sauf US).
ADACHI, Kenji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOBAYASHI, Noriyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ADACHI, Kenji; (JP).
KOBAYASHI, Noriyuki; (JP)
Mandataire : SUYAMA, Saichi; Kanda Higashiyama Bldg., 1, Kandata-cho 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 101-0046 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-389151 21.12.2000 JP
Titre (EN) ETCHING METHOD FOR INSULATING FILM
(FR) PROCEDE DE GRAVAGE POUR FILM ISOLANT
Abrégé : front page image
(EN)Amixed gas containing at least a first fluorocarbon gas having C C$m(G) 4 and a C/F ratio of at least 0.625, second fluorocarbon gas having F$m(G)4 and a C/F ratio of up to 0.5, Ar gas, and O¿2? gas is used as an etching gas to etch an insulating film consisting of a silicon oxide film, etc. Therefor, even when a high-aspect-ratio contact hole is formed, an etching rate and a resist mask selection ratio can be improved and the contact hole is prevented from being formed into a bowing shape.
(FR)L'invention concerne un gaz mixte contenant au moins un premier gaz fluorocarbonique, dont C $m(G) 4 et un rapport C/F d'au moins 0,625, un second gaz fluorocarbonique dont F $m(G) 4 et un rapport C/F de plus de 0,5, de l'argon. Un gaz O¿2? est utilisé comme gaz de gravure pour graver un film isolant composé d'une pellicule d'oxyde de silicium, etc. C'est pourquoi, même si une fenêtre de contact à grand allongement est formée, on peut améliorer une vitesse de gravure et un rapport de sélection de masque de réserve et éviter que la fenêtre de contact ne soit formée de manière cintrée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)