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1. (WO2002050842) PROCEDE D'EXTRACTION ET DE MEMORISATION D'UN ETAT DEPUIS OU DANS UN TRANSISTOR FERROELECTRIQUE D'UNE CELLULE DE MEMOIRE ET MATRICE DE MEMOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/050842    N° de la demande internationale :    PCT/DE2001/004785
Date de publication : 27.06.2002 Date de dépôt international : 19.12.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    16.07.2002    
CIB :
G11C 11/22 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse, 81669 München (DE) (AT, BE, CH, CN, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, JP, KR, LU, MC, NL, PT, SE, TR only).
GOEBEL, Holger [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
HOENIGSCHMID, Heinz [DE/US]; (US) (US Seulement).
HOENLEIN, Wolfgang [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
HANEDER, Thomas [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
ULLMANN, Marc [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : GOEBEL, Holger; (DE).
HOENIGSCHMID, Heinz; (US).
HOENLEIN, Wolfgang; (DE).
HANEDER, Thomas; (DE).
ULLMANN, Marc; (DE)
Mandataire : VIERING, JENTSCHURA & PARTNER; Postfach 22 14 43, 80504 Munich (DE)
Données relatives à la priorité :
100 64 031.1 21.12.2000 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUM AUSLESEN UND SPEICHERN EINES ZUSTANDES AUS EINEM ODER IN EINEN FERROELEKTRISCHEN TRANSISTOR EINER SPEICHERZELLE UND SPEICHERMATRIX
(EN) METHOD FOR READING OUT OR IN A STATUS FROM OR TO A FERROELECTRICAL TRANSISTOR OF A MEMORY CELL AND MEMORY MATRIX
(FR) PROCEDE D'EXTRACTION ET DE MEMORISATION D'UN ETAT DEPUIS OU DANS UN TRANSISTOR FERROELECTRIQUE D'UNE CELLULE DE MEMOIRE ET MATRICE DE MEMOIRE
Abrégé : front page image
(DE)Der Zustand wird aus dem ferroelektrischen Transistor ausgelesen oder in den ferroelektrischen Transistor gespeichert. Während des Auslesens oder Speicherns des Zustands wird mindestens ein weiterer ferroelektrischer Transistor in der Speichermatrix derart angesteuert, dass er in dessen Verarmungsbereich betrieben wird.
(EN)The status is read out from or stored in the ferroelectrical transistor. During the reading out or storing of the status, at least one further ferroelectrical transistor in the memory matrix is controlled such as to be operated in the depletion region thereof.
(FR)Selon cette invention, un état est extrait d'un transistor ferroélectrique ou mémorisé dans ledit transistor. Pendant l'extraction ou la mémorisation de cet état, au moins un autre transistor ferroélectrique est commandé dans la matrice de mémoire, de manière à pouvoir fonctionner dans sa zone de déplétion.
États désignés : CN, JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)