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1. (WO2002050334) GENERATION DE GAZ DE NETTOYAGE SUR SITE DESTINE AU NETTOYAGE DE CHAMBRE DE TRAITEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/050334    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/047895
Date de publication : 27.06.2002 Date de dépôt international : 10.12.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    07.05.2002    
CIB :
C23C 16/44 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; P.O. Box 450A, Santa Clara, CA 95052 (US)
Inventeurs : SHANG, Quanyuan; (US).
HARSHBARGER, William, R.; (US).
YADAV, Sanjay; (US).
LAW, Kam S.; (US)
Mandataire : BERNADICOU, Michael, A.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP, 7th floor, 12400 Wilshire Boulevard, Los Angeles, CA 90025 (US)
Données relatives à la priorité :
09/741,529 19.12.2000 US
Titre (EN) ON-SITE CLEANING GAS GENERATION FOR PROCESS CHAMBER CLEANING
(FR) GENERATION DE GAZ DE NETTOYAGE SUR SITE DESTINE AU NETTOYAGE DE CHAMBRE DE TRAITEMENT
Abrégé : front page image
(EN)Provided herein is a method for cleaning a process chamber for semiconductor and/or flat panel display manufacturing. This method comprises the steps of converting a non-cleaning feed gas to a cleaning gas in a remote location and then delivering the cleaning gas to the process chamber for cleaning. Such method may further comprise the step of activating the cleaning gas outside the chamber before the delivery of the gas to the chamber. Also provided is a method of eliminating non-cleaning feed gas from the cleaning gas by cryocondensation.
(FR)La présente invention concerne un procédé de nettoyage de chambre de traitement destinée à la fabrication de semiconducteur et/ou d'afficheur à écran plat. Ce procédé consiste à transformer un gaz d'alimentation non nettoyant en gaz de nettoyage dans un endroit situé à distance, puis à délivrer ce gaz de nettoyage dans la chambre de traitement en vue d'un nettoyage. Ce procédé peut aussi consister à activer ce gaz de nettoyage en dehors de la chambre de traitement avant de le délivrer dans cette chambre. Cette invention concerne aussi un procédé d'élimination du gaz d'alimentation non nettoyant du gaz de nettoyage par cryocondensation.
États désignés : CN, JP, KR, SG.
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)