WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2002050204) PROCEDE DE POLISSAGE CHIMICO-MECANIQUE DE COUCHES ISOLANTES D'APRES LA TECHNIQUE STI A TEMPERATURES ACCRUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/050204    N° de la demande internationale :    PCT/EP2001/014419
Date de publication : 27.06.2002 Date de dépôt international : 07.12.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    28.05.2002    
CIB :
C09G 1/02 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), H01L 21/3105 (2006.01)
Déposants : BAYER AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; 51368 Leverkusen (DE) (Tous Sauf US).
VOGT, Kristina [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
PUPPE, Lothar [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
MIN, Chun-Kuo [CN/--]; (TW) (US Seulement).
CHEN, Li-Mei [CN/--]; (TW) (US Seulement)
Inventeurs : VOGT, Kristina; (DE).
PUPPE, Lothar; (DE).
MIN, Chun-Kuo; (TW).
CHEN, Li-Mei; (TW)
Représentant
commun :
BAYER AKTIENGESELLSCHAFT; 51368 Leverkusen (DE)
Données relatives à la priorité :
100 63 492.3 20.12.2000 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUM CHEMISCH-MECHANISCHEN POLIEREN VON ISOLATIONSSCHICHTEN NACH DER STI-TECHNIK BEI ERHÖHTEN TEMPERATUREN
(EN) METHOD FOR THE CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING OF ISOLATION LAYERS BASED ON STI TECHNOLOGY AT ELEVATED TEMPERATURES
(FR) PROCEDE DE POLISSAGE CHIMICO-MECANIQUE DE COUCHES ISOLANTES D'APRES LA TECHNIQUE STI A TEMPERATURES ACCRUES
Abrégé : front page image
(DE)A process for the chemical-mechanical polishing of isolation layers based on the shallow trench isolation (STI) technology, using a basic polishing slurry which contains from about 5 to about 12.5 % by weight of a colloidal silica abrasive, characterized in that the polishing slurry is applied to the wafer surface at a temperature of about 35 °C to about 80 °C, increases the polishing selectivity with regard to the rate at which silica is removed compared to the rate at which silicon nitride is removed.
(EN)A process for the chemical-mechanical polishing of isolation layers based on the shallow trench isolation (STI) technology, using a basic polishing slurry which contains from about 5 to about 12.5 % by weight of a colloidal silica abrasive, characterised in that the polishing slurry is applied to the wafer surface at a temperature of about 35 °C to about 80 °C, increases the polishing selectivity with regard to the rate at which silica is removed compared to the rate at which silicon nitride is removed.
(FR)L'invention concerne un procédé de polissage chimico-mécanique de couches isolantes d'après la technique d'isolation par tranchées peu profondes (STI), ledit procédé consistant à appliquer une pâte de polissage basique, contenant de 5 à 12,5 % en poids d'un abrasif siliceux colloïdal, sur la surface de la tranche à une température comprise entre 35 °C et 80 °C. Ce procédé permet d'augmenter la sélectivité de polissage en ce qui concerne la vitesse de retrait du silice par rapport à la vitesse de retrait du nitrure de silicium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)